热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响.pdf

第28 卷第 1 期 湖南文理学院学报( 自然科学版) Vol. 28 No. 1 2016 年3 月 Journal of Hunan University of Arts and Science(Science and Technology) Mar. 2016 doi: 10.3969/j.issn.1672–6146.2016.01.005 热处理对以 Al O 为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响 2 3 聂国政, 唐京武, 许英 (湖南科技大学 物理与电子科学学院, 湖南 湘潭, 411201) 摘要: 采用阳极氧化法制备了Al O 绝缘材料, 并制备了以Al O 为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT) 。 2 3 2 3 Al O 绝缘层经过10 min 350 ℃氢热处理后, OTFT 迁移率比未经氢热处理的增大近20 倍, 且阈值电压降到了 2 3 −7 V 。Al O 膜MIS 结构电容—电压(C– V)特性的平带电压平移量数据表明, Al O 膜经过热处理后, 并五苯半 2 3 2 3 导体与Al O 绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低, Al O 绝缘层和并五苯半导体层之间的接触 2 3 2 3 得到改善, 这使得经热处理Al O 膜的OTFT 器件性能得到显著的改善。 2 3 关键词: 有机薄膜晶体管; 阳极氧化Al2O3 绝缘层; 热处理 中图分类号: TN 321.5 文章编号: 1672–6146(2016)01–0015–04 Effect of annealing on organic thin-film transistor based on high-k anodizing Al O dielectric 2 3 Nie Guozheng, Tang Jingwu, Xu Ying (School of Physics and Electronic Science, Hunan University of Science and Technology, Xiangtan 411201, China) Abstract: Organic thin-film transistors (OTFTs) based on anodizing Al O dielectric are investigated. Al O is