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LED灯珠散热的计算方法
时间:2014-09-23
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一、热对 LED的影响
1、LED是冷光源吗?
(1)LED的发光原理是电子与空穴经过复合直接发出光子,过程中不需要热量。LED可以称为冷光源。
(2)LED的发光需要电流驱动。输入LED的电能中,只有约15%有效复合转化为光,大部分(约85%)因无效复合而转化为热。
(3)LED发光过程中会产生热量,LED并非不会发热的冷光源。
2.热对LED性能和结构的影响
LED电致发光过程产生的热量和工作环境温度(Ta)的不同,引起 LED芯片结温Tj的变化。LED是温度敏感器件,当温度变化时,LED的性能和封装结构都会受到影响,从而影响LED的可靠性。
(1) 光通量与温度的关系
①光通量Фv与结温Tj的关系
其中:Фv(Tj1)=结温Tj1时的光通量
Фv(Tj2)=结温Tj2时的光通量
ΔTj=?Tj2 -Tj1
k=温度系数
②光通量与环境温度的关系
Ta=100℃时,LED的光通量将下降至室温时的一半左右。
LED的应用必须考虑温度对光通量的影响。
(2)波长与结温Tj的关系
λd(Tj2)=λd(Tj1)+kΔTj
(3)正向压降Vf结温Tj的关系
Vf(Tj2)=?Vf(Tj1)+kΔTj
k=ΔVf/ΔTj :正向压降随结温变化的系数,通常取-2.0mV/℃.
(4)热对发光效率ηv的影响
*在输入功率一定时:
*LED内部会形成自加热循环,如果不及时引导和消散LED的热量,LED的发光效率将不断降低。
(5)热对LED出光通道的影响
*加速出光通道物质的老化;
*降低通道物质的透光率;
*改变出光通道物质的折射率,影响光线的空间分布;
*严重时改变出光通道结构。
(6)热对LED电通道(欧姆接触/固晶界面)的影响
*引致封装物质的膨胀或收缩;
*封装物质的膨胀或收缩产生的形变应力,使欧姆接触/固晶界面的位移增大,造成LED开路和突然失效。
(7)热对LED寿命的影响
二、LED的热工模型
1. LED热量的来源
*输入的电能中(约85%)因无效复合而产生的热量;
*来自工作环境的热量。
2. LED的热工模型
*LED芯片很微小,其热容可忽略;
*输入电能中大部分(约85%)转化为热量,一般计算中忽略转化为光的部分能量(约15%),假设所有的电能都转变成了热;
*在LED工作热平衡后,
Tj=?Ta+RthjaPd
其中Rthja=LED的PN结与环境之间的热阻;???Pd=?If ·Vf:LED的输入功率。
三、LED热阻的计算
1.热阻的概念
热阻:热量传导通道上两个参考点之间的温度差与两点间热量传输速率的比值。
热传导模型的热阻计算
*LED的热阻计算
2.分立LED热阻的计算模型
LED热通道上各环节都存在热阻,热通道的简化热工模型是串联热阻回路。
3.集成LED阵列热阻的计算模型
集成LED(假定热阻一致)阵列热阻利用并联阻抗模型计算:
4.几种常见的1W 大功率LED的热阻计算
以Emitter(1mm×1mm芯片)为例,只考虑主导热通道的影响,从理论上计算PN结到热沉的热阻Rthjs。
从以上计算可见:
①固晶工艺对LED热阻有较大影响;
②倒装芯片在导热上比正装芯片稍优;
③正装芯片/共晶固晶在导热上并不比倒装芯片差;
④目前实际制造的LED成品热阻Rthjs比以上理论计算高出1倍左右,说明制造工艺水平还有很大的提升空间。
5.几种常见LED的热阻参考值
6.热阻对光输出饱和电流的影响
热阻值越大,光输出越容易饱和,饱和电流点越低。
四、LED热阻的测量
1.理论依据
半导体材料的电导率具有热敏性,改变温度可以显著改变半导体中的载流子的数量。禁带宽度通常随温度的升高而降低,且在室温以上随温度的变化具有良好的线性关系。可以认为半导体器件的正向压降与结温是线性变化关系。
只要监测LED正向压降Vf的改变,便可以确定其热阻。
2.电压法测量LED热阻
(1)测量LED温度系数k
①将LED置于温度为Ta 的恒温箱中足够时间至热平衡,Tj1=?Ta ;
②用低电流(可以忽略其产生的热量对LED的影响)If’=1mA,快速点测LED的Vf1;
③将LED置于温度为Ta’(Ta’Ta)的恒温箱中足够时间至热平衡,Tj2=?Ta’;
④重复步骤②,测得Vf2;
(2)测量LED在输入电功率加热状态下的Vf变化
①将L
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