2017通信导航试卷 (数电模电计算机网络).docxVIP

1.如图由集成运算放大器构成的运算电路，R1=2kΩ，R2=R1∥Rf。当uI=2V时，uO=-4V，那么Rf应为___D___。 A. 1 kΩ B. 2 kΩ C. 3 kΩ D. 4 kΩ 2.集成运算放大器输入端并接两个正、反向二极管的作用是___c___。 A. 提高输入阻抗 B. 过载保护 C. 输入电压保护 D. 电源电压保护 3.如图由集成运算放大器构成的运算电路，uO与uI之间的关系表达式为uO=__c____uI。 A. B. C. D. 4.同相比例运算电路的重要特点是___c___。 A.虚断、虚地 B.虚断、虚短 C.虚短、虚地 D.虚断、虚短、虚地 5.在同相和反相比例运算电路中，___C___比例运算电路的反相输入端为虚地点；______比例运算电路中运算放大器的两个输入端对地电压基本上等于输入电压。 A.同相 同相 B.同相 反相 C.反相 同相 D.反相 反相 6.PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是___B___。 A.具有放大特性 B.具有单向导电性 C.具有改变电压特性 D.具有增强内电场特性 7.稳压二极管构成的稳压电路，其接法是___B___。 A.稳压二极管与负载电阻串联 B.稳压二极管与负载电阻并联，再与限流电阻串联 C.限流电阻与稳压二极管串联后，与负载电阻并联 D.限流电阻与负载电阻串联后，再与稳压二极管并联 8.无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是__A____。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置 B.发射结反向偏置，集电结正向偏置 C.发射结正向偏置，集电结正向偏置 D.发射结反向偏置，集电结反向偏置 9. D A.耗尽型PMOS B.耗尽型NMOS C.增强型PMOS D.增强型NMOS 10. 如图由集成运算放大器构成的运算电路，uO =__C____。 A. +15V B. -15V C. +7．5V D. -7．5V 11. 如图由运算放大器构成的运算电路，Rf=2kΩ，R3= R1∥R2∥Rf。为使时，那么R1及R2各为___A___kΩ。 A. 1,2 B. 2,1 C. 2,4 D. 4,2 12. 如图由运算放大器构成的运算电路，输出uO与输入uI之间的关系是__A____。 A. B. C. D. 13. 如图由运算放大器构成的运算电路，已知C=1μF，为获得 ，那么Rf应为___C___。 A. 视R2值而定 B. 2000 MΩ C. 2 MΩ D. 1 MΩ 14. 如图由运算放大器构成的运算电路，已知C=1μF，为获得，那么R1应为___B___。 A. 视R2值而定 B. 1MΩ C. 1000 MΩ D.0.001 MΩ 15. 下列电路能够在负载上获得+5V输出电压的是___A___。 A. B. C. D. 16. 稳压二极管构成的稳压电路，其接法是__B____。 A 稳压二极管与负载电阻串联 B 稳压二极管与负载电阻并联，再与限流电阻串联 C 限流电阻与稳压二极管串联后，与负载电阻并联 D 限流电阻与负载电阻串联后，再与稳压二极管并联 17. PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是__B____。 A 具有放大特性 B 具有单向导电性 C 具有改变电压特性 D 具有增强内电场特性 18. 无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是_A_____。 A 发射结正向偏置，集电结反向偏置 B 发射结反向偏置，集电结正向偏置 C 发射结正向偏置，集电结正向偏置 D 发射结反向偏置，集电结反向偏置 19. 在NPN型三极管构成的单级共发射极放大电路中，若输入电压为正弦波形，则uo和ui的相位关系是___B___。 A 同相 B 反相 C 相差90度 D 不确定 20. 场效应管本质上是一个__C____。 A 电流控制电流源器件 B 电流控制电压源器件 C 电压控制电流源器件 D 电压控制电压源器件 21. 欲将输入电压信号线性放大-100倍，应选用__A____。 A 反相比例运算电路 B 同相比例运算电路 C 反相加法运算电路 D 同相加法运算电路 22. 在同相和反相比例运算电路中，___C___比例运算电路的反相输入端为虚地点；______比例运算电路中运算放大器的两个输入端对地电压基本上等于输入电压。 A 同相 同相 B 同相 反相 C 反相 同相 D 反相 反相 23. 如图由集成运算放大器构成的运算电路，经测量发现uO=uI，这是因为__A_