第17讲 单晶硅的制备.ppt

第九章 单晶硅的制备 学习目标 1、掌握结晶学基础 2、了解区熔法 3、掌握直拉法的基本设备及工艺 4、理解杂质的污染 5、了解磁拉法（MCz）、CCz法的基本原理与特点 9.1结晶学基础 （1）晶体的融化和凝固 物质从固态变成液态的过程叫做熔化。 物质从液态变成固态的过程叫做凝固。 熔化和凝固过程需要的条件 （2）结晶过程的宏观特征 过冷度 实际结晶温度与其熔点的差值，用?T表示。 直拉生长工艺 1961年，在中国半导体研究所林兰英院士的指导下我国研制成功第一台硅单晶炉，单晶直径为20mm(0.8in); 1972年73mm(1.5英寸)→1979年50mm (2英寸)→1983年75mm(3英寸)→1991年100mm(4英寸)→1996年150 mm(6英寸)→1998年200 mm(l8英寸) 己经能够满足稳定生产200 mm集成电路级的硅单晶，能够满足规模生产212mm( 8.5英寸)的太阳能光伏电池级硅单晶的能力; 300mm(12英寸)的硅单晶炉。 直拉生长工艺 籽晶是生长单晶硅的种子，目前用得最多的有 [111]和[100]晶向，偶尔用到[110]晶向。用 [11l]晶向籽晶生长 的单