模拟电子技术第一章 徐安静主编.pptVIP

(1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 (1-*) 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 (1-*) 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当UBB = -2V时： IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 ICmax最大饱和电流： Q位于截止区 (1-*) 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE UBB =2V时： (1-*) UBB =5V时: 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE IC Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是?倍的关系） (1-*) 1.3.5 三极管的主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数 和 ? (1-*) 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = (1-*) 2. 极间反向电流 ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 (1).集-基极反向饱和电流ICBO (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO (2). 集-射极穿透电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 (1-*) 3.极限参数 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的1/3至2/3时的集电极电流即为ICM。 (1).集电极最大允许电流ICM (1-*) (2). 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 (1-*) 4. 反向击穿电压 集-基极反向击穿电压BUCBO(发射极开路时) 集-射极反向击穿电压BUCER(基射极间接有电阻R时) 集-射极反向击穿电压BUCEO(基极开路时) 集-射极反向击穿电压BUCES(基射极短路时) 发-基极反向击穿电压BUEBO(集电极开路时) (1-*) 1.3.6 温度对三极管参数的影响 1. 温度对UBE的影响 3. 温度对 ? 的影响 T上升，UBE下降 2. 温度对ICBO的影响 T每上升10C?，ICBO增大一倍 T每上升1C?，? 增大0.5～1％ (1-*) 1. 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 1.4 光电器件 (1-*) 2. 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 + _ (1-*) 3. 光电耦合器件 输入端加电信号，发光二极管的光随信号变化，照在输出端光电二极管上产生与输入变化一致的电信号（电隔离）。 输入 输出 (1-*) 1、当PN结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流