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- 2019-09-30 发布于天津
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例3:(2010·高考天津理综卷)如图所示,质量m1=0.1kg,电阻R1=0.3Ω,长度l=0.4m的导体棒ab横放在U型金属框架上.框架质量m2=0.2kg,放在绝缘水平面上,与水平面间的动摩擦因数μ=0.2。相距0.4m的MM′、NN′相互平行,电阻不计且足够长。电阻R2=0.1Ω的MN垂直于MM′。整个装置处于竖直向上的匀强磁场中,磁感应强度B=0.5T。垂直于ab施加F=2N的水平恒力,ab从静止开始无摩擦地运动,始终与MM′、NN′保持良好接触。ab运动到某处时,框架开始运动。设框架与水平面间当最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2。 (1)求框架开始运动时ab速度v的大小; (2)从ab开始运动到框架开始运动的过程 中,MN上产生的热量Q=0.1J,求该过程 ab位移s的大小。 解析:(1)ab对框架的压力F1=m1g,那么,框架受水平面的支持力为:FN=m2g+F1 依题意,最大静摩擦力等于滑动摩擦力,则框架受到最大静摩擦力为:f=μFN; Ab在运动中产生的感应电动势E=Blv 那么流过MN中电流为:I=E/(R1+R2) 则MN受到的安培力为:F安=BIl 当F安=f时,框架开始运动。 由上述各式,代入数据解得v=6m/s。 (2)闭合电路中R1与R2串联,电路中总电阻为(R1+R2) 由能量守恒定律,得 代入解得s=1.1m。 答案:(1)6m/s
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