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实验锗的带隙宽度测量物质能带间的间隔叫带隙用表示或禁带其大小称作带隙宽度禁带不允许有电子存在半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内此时紧邻着禁带的满带称为价带而上面的空带称为导带如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部在价带顶部就相应地留下一些空穴从而使导带和价带都变得可以导电了所以半导体的载流子有电子和空穴两种半导体的带隙宽度较小量级或小于而人类掌握的技术很容易就可以把半导体价带的电子激发到导带中而使半导体导电我们当今科学技术的发展主要依赖于半导体的发展而决定半导体的性质的重要参
实验7.2 锗的带隙宽度测量
物质能带间的间隔叫带隙(用 Eg 表示)或禁带，其大小称作带隙宽度。禁带不允许有电
子存在。半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内,此时紧邻着禁带的满带称为价带,
而上面的空带称为导带。如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部,在价带
顶部就相应地留下一些空穴,从而使导带和价带都变得可以导电了。所以半导体的载流子有
电子和空穴两种。半导体的带隙宽度较小(1eV 量级或小于1eV)，而人类掌握的技术很容易
就可以把半导体价带的电子激发到导带中，而使半导体导电，我们当今科学技术的发展主要
依赖
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