第七章半导体量子阱激光器.pptVIP

超晶格多量子阱能带结构示意图 多量子阱能带图 E2 E1 超晶格能带图 EcA EvA EcB EvB EgB EgA ?Ec ?Ev E2 E1 多量子阱和超晶格的本质差别在于势垒的宽度：当势垒很宽时电子不能从一个量子阱隧穿到相邻的量子阱，即量子阱之间没有相互耦合，此为多量子阱的情况；当势垒足够薄使得电子能从一个量子阱隧穿到相邻的量子阱，即量子阱相互耦合，此为超晶格的情况。 超晶格分类 （1）组分调制超晶格 （2）掺杂调制超晶格 （3）应变超晶格 （4）多维超晶格 超晶格能带结构来源于两种材料禁带的变化，存在内界面。 （1）组分调制超晶格 在超晶格结构中，如果超晶格的重复单元是由不同半导体材料的薄膜堆垛而成，则称为组分超晶格。在组分超晶格中，由于构成超晶格的材料具有不同的禁带宽度，在异质界面处将发生能带的不连续。 由于GaAs/ AlGaAs 是晶体匹配的材料体系。利用现代分子束外延生长技术几乎可以获得原子级平整的界面，大大减少了界面缺陷和界面粗糙度对输运性质的影响。 超高真空下分子束外延生长保证了GaAs、AlGaAs本征材料的纯度可达到1013cm-3的水平。 更为重要的是，施主杂质在离界面一定距离以外的AlGaAs 一侧，而电子被转移到窄能隙的GaAs 侧界面势阱内，远离产生它的电离施主，使它们感受到的库仑散射作用大大减