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二极管 1. 本征半导体热激发时的两种载流子分别是 、 。 2. N型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。 P型半导体多数载流子是 ，少数载流子是 。 在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 , 在常温下锗二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为 , 当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ; A. 大于 B.小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变 ７．PN结的空间电荷区有哪些称谓? 为何这样称谓? 二极管有哪些特性？其中最重要的特性是 。 1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为 B、P型半导体 2、N型半导体中少数载流子为 B、空穴 3、P型半导体是 C、中性 4、PN结加正向电压时，其正向电流是 A、多数载流子扩散形成的 8、稳压二极管是利用PN结的 B、反向击穿特性 9、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压） C、其反向电流不变 1.15 1.15 试判断图1.40中的二极管是否导通,还是截止 ,并求出两端电压uAO U0 =8v D的导通电压为0.7v u0 =1V vi1/V ?6.5 电路如图P6.5（a）所示，其输入电压vi1和vi2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出输出电压v vi1/V 图 图P6.5 vi1 R D1 +VCC（5V） D2 vi2 t 3 t 3 vi2/V (a) (b) vo 0.3 0.3 ? 解：uO的波形如解图P1.2所示。 6.8二极管电路如图6.8所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出AB两端电压VAB，设二极管是理想的。 图 图P6.8 _ VAB D _ R 5kΩ D2 6V 12V 12V D1 + + A A B B VAB 15V _ D2 12V D1 + A B VAB 6V R 5kΩ R 5kΩ (a) (b) (c) 解: 图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。 图b：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为 0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。 图c：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为 －6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。 晶体三极管及放大电路练习题 一、填空题 1、三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即______区、______区和______区。当三极管工作在______区时，关系式IC=βIB才成立；当三极管工作在______区时，IC=0；当三极管工作在______区时，UCE≈0。 2、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______，______极电位最低。 3、晶体三极管有两个PN结，即________和________，在放大电路中________必须正偏，________反偏。 4、晶体三极管反向饱和电流ICBO随温度升高而________，穿透电流ICEO随温度升高而________，β值随温度升高而________。 5、硅三极管发射结的死区电压约为________V，锗三极管发射结的死区电压约为________V，晶体三极管处在正常放大状态时，硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为________V。 6、输入电压为20mV，输出电压为2V，放大电路的电压增益为________。 7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。 8当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流