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单脊鳍线亚谐波混频器 Wide-band subharmonically pumped W-band mixer in single-ridge fin-line [P.J. Meier 1982] 单片亚谐波混频器 E-band monolithic Schottky diode pair subharmonic mixer [E.B. Stoneham 2006] 单片四次谐波混频器 60GHz Uniplanar MMIC 4 Subharmonic Mixer [M.W. Chapman 2002] 有限宽度地共面（FGC）波导 鳍线－共面线平衡混频器 鳍线－带线平衡混频器 鳍线－带线平衡混频器 微带平衡混频器 V频段单片集成混合环平衡混频器I V band singly balanced diode mixer [C. Florian 2005] W频段单片集成混合环平衡混频器 91-99GHz monolithic HEMT Schottky diode singly balanced mixer [Velocium] 单片双平衡混频器 70-90GHz monolithic HBT star mixer [Velocium] 单栅和双栅三端器件混频电路 三端器件平衡混频电路 单片有源平衡混频器 32-46GHz monolithic GaAs PHEMT balanced mixer [Mimix] HEMT器件结构及其等效电路 实际HEMT器件的典型结构 单级、双级 低噪声放大器 56-70GHz monolithic PHEMT low noise amplifier [TriQuint] 单片低噪声放大器 平衡式 分布式（行波式） 反馈式 有源匹配式 有损匹配式 宽带放大器类型 平衡式宽带放大器 分布式（行波式）宽带放大器 反馈式宽带放大器 有源匹配式宽带放大器 有损匹配式宽带放大器 宽带放大器性能比较 平衡式 分布式（行波式） 负反馈 有源匹配 有损匹配 应用频段范围 1个倍频程 多个倍频程（最宽） 几个倍频程 几个倍频程 几个倍频程 阻抗匹配效果 优良 优良 良好 良好 较差 噪声系数 低 中等 较高 较高 高 输出功率线性度 好 一般 较好 较好 一般 电路尺寸 较大 较小 中等 较小 小 制造允许公差 大 中等 中等 中等 大 80-100GHz monolithic HEMT balanced, 3-stage, low noise amplifier [TriQuint] 平衡式放大器 DC-60GHz monolithic MMHEMT low noise amplifier [TriQuint] 单片分布式（行波式）放大器 18-50GHz monolithic GaAs PHEMT distributed amplifier [Mimix] 单片分布式（行波式）放大器 0.05-50GHz monolithic GaAs PHEMT distributed amplifier [Mimix] 单片分布式（行波式）放大器 Gunn二极管和串联双管合成振荡器的等效电路 等效电路 鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率 鳍线串联双Gunn管合成振荡器的输出功率稳定度和频率稳定度 D-band (110-140GHz) quasi-optical oscillator Grooved mirror type Fabry-Perot quasi-optical oscillator 倍频器将交流能量转换为其谐波频率的交流能量，与振荡器将直流能量转换为交流能量不同。倍频器与其说是信号源，不如说是频率变换电路。 §2.5 二端器件倍频源 按功能 信号倍频 功率倍频 按器件 二端 电抗性二极管 变容二极管 阶跃二极管 电阻性二极管 三端 倍频器分类 平面管芯结构和台面管芯结构 等效电路 变容二极管的管芯结构和等效电路 结电容 结电容变化系数 γ=1/3 缓变结 γ=1/2 突变结 γ1 超突变结 变容二极管的非线性特性 零偏压结电容 PN结的势垒电位差 反向偏压绝对值 并联型（电流激励型）和串联型（电压激励型） 二极管倍频电路的基本形式 并联型（电流激励型） 特点：二极管上只有f1和Nf1频率的电流 优点：二极管可接地，利于散热，适合大功率倍频 缺点：二极管与输入输出回路均为并联，使得输入输出阻抗都较低 串联型（电压激励型） 特点：二极管上只有f1和Nf1频率的电压 优点：输入输出阻抗较高，且随谐波次数N的增加，效率下降程度比并联型小，对N3的场合较适合 缺点：散热不如并联型 二极管倍频电路两种形式的特点 空闲回路（LmCm） 匹配电路 偏置电路 倍频附加电路 W频