第二章 光源与光电探测器.pptx

光电信息技术;;;;第2章 光源与光电探测器;2.1 光电效应;2.1 光电效应;2.1.1 光电导效应;1. 附加电导率;;;2. 直线性光电导与抛物线性光电导;两种光电导反映着两种简单的复合规律，光电导率的变 化直接体现为Δn和Δp的变化，其值由光生载流子的产 生过程和复合过程的动态平衡过程决定。设I表示以光子数计算的光强，α为吸收系数，β为量子产额（P98）则电子空穴对的产生率为;;3.光电导体的灵敏度;式中， 为光电导两极间距； 为迁移率；U为外加电压电压;;;5.光电导的光谱分布;不同半导体光电导材料，由于有不同的禁带宽度，对应有不同的光谱相应曲线。每一条曲线都有一个峰值，峰值的长波方面曲线迅速下降，这是因为只有光子能量大于材料禁带宽度，才能激发产生电子－空穴对，引起本征光电导。在长波部分，当光子能量小于材料的禁带宽度时，就不足以将电子从价带激发到导带，这时光电导就迅速下降，因此光谱分布存在一长波 限。可以从各条曲线的长波限来确定半导体材料的禁带宽度。; 典型的锗掺金杂质光电导光谱分布曲线。曲线在0.7eV附近陡起明显，表示本征光电导开始。在本征光电导长波限左边，光子能量小于锗禁带宽度（0.68eV）,这时光电导为杂质光电导，当杂质光电导光谱曲线继续向左延伸时，在某一波长的曲线迅速下降，这就是杂质光电导的长波限。 ;常用光电导材料 ;2.1.2 光生伏特