第7章金属半导体接触和MIS结构.pptVIP

第7章 金属半导体接触和MIS结构 功函数 金属-半导体接触的机理和应用 金属-绝缘层-半导体（MIS）结构及应用 金属-半导体接触，对所有的半导体器件和制作，都是不可缺少的。接触出现两个重要的效益：整流效应（整流接触）和欧姆接触（非整流效应）。 MIS结构（金属-绝缘体-半导体）形成的结构也具有整流效应。 7．1 金属-半导体接触 固体中的公有化电子，可以在固体中自由运动，它们不能脱离固体而逸出，固体中的电子能量，要比体外的静电子能量底。半导体的导带底和价带顶，都比体外真空中静电子的能量E0低。固体电子要离开固体，就必须供给电子一定能量。 使固体中位于费米能级处的一个电子移到体外自由空间所需要的功，叫固体功函数，或逸出功，用W表示: Ｗ=E0-Ef 金属材料的功函数Wm 金属材料作为导体，通常没有禁带，自由电子处于导带中，可以自由运动，导电能力强。在金属中，电子业服从费米分布，与半导体一样，在0K时，电子充满费米能级（Efm）以下的能级，费米能级以上的能级全空。当温度升高时，电子吸收能量，从低能级跃迁到高能级，而极少的高能级电子吸收了足够的能量后，可跃迁到金属体外。 一个金属电子跃迁到体外所需要的最小能量Wm为： Wm=E0-Efm 一般金属的功函数只有几个电子伏特，铯最低（1.93eV）,铂最高（5.36eV） 半导体材料的功函数Ws 同样，对于半导体材料中的电子，从导带，或价带跃迁到体外，也需要一定的能量.Efs是半导体的费米能级。 Ws=E0-Efs 半导体的费米能级，与半导体的类型和掺杂浓度有关，因此半导体的功函数，也与导电类型和杂质浓度有关。 金属-半导体接触 半导体（如硅）晶片上，沉淀一层金属（如Al），形成紧密接触，成为金属-半导体接触。太阳能电池硅片的铝背场（涂一层铝浆，再烧结烧结，作正极）（正面，银浆格栅线，收集电子，负极）。 金属-半导体接触的伏安特性，有三种： ① 半导体掺杂浓度较低时，（浓度低于5×1023/m3，即5×1017/cm3，即浓度在小于几个ppm的范围内）,类似p-n结的单向导电性，肖特基势垒二极管和肖特基势垒场效应晶体管就是利用这一原理制作的半导体器 金属-半导体接触的能带 设真空静止电子的能量为E0，金属和半导体接触时，金属和半导体的功函数大小，可直接用金属和半导体材料的费米能级（Ef）的高低来比较。功函数大，说明费米能级低，功函数小，说明费米能级高 (1)金属和N型半导体材料接触 接触后，虽然金属的电子浓度大于半导体的电子浓度，但金属的费米能级远低于半导体的费米能级，所以，电子向金属扩散，使金属表面电子浓度增加，带负电；另一侧的半导体表面，则带正电。半导体和金属保持电中性，正、负电荷数相等，构成了一个统一的电子系统，具有共同的费米能级，提高了半导体的电势，降低了金属的电势。 电子从半导体流向金属后，在半导体表面留下一定厚度的正电层（施主离子），而流向金属的电子，由于正电离子的静电吸引，集中分布在接触界面层的金属一侧，与施主离子一起，形成了一定厚度的空间电荷区，从而形成了内建电场。 内建电场的方向N型半导体指向金属。与p-n结一样，产生了金属-半导体接触的表面势垒。又称电子阻挡层（容易形成肖特基接触）。达到平衡后，空间电荷漂移与扩散平衡，净电荷为零，净电流也为零，接触电势差为： Vms=(Wm-Ws)/q=(Efs-Efm)/q 如果金属的功函数小于N型半导体的功函数，即金属的费米能级高于半导体的费米能级，同样的分析可得，金属中的电子向半导体流动，在金属一侧带正电（一层高密度的空穴层），半导体一侧形成带负电一定厚度的电子积累区，从而形成了一个具有电子高导电率的空间电荷区，成为电子高导区，又称反阻挡区。 （容易形成欧姆接触） （2）金属与P型半导体接触 在界面附近，也会形成空间电荷区，形成空穴势垒区（阻挡层）和空穴高导区（反阻挡区）。 如果金属的功函数小于P型半导体的功函数时，没有整流作用的反阻挡层（空穴高导电区）； 如果金属功函数大于P半导体的功函数，形成空穴势垒（阻挡层）。 7．2 欧姆接触 反阻挡层结构，就会形成良好的欧姆接触，接触电阻很小。 选用：功函数比N型半导体小的金属，或比P型半导体功函数大的