第十章 MOSFET基础(2)(MOSFET工作原理,频率,CMOS).pptVIP

* 在电荷公式中，左边二项为正，右边二项为负。 * E1和E2大小相等（均为Ex，根据假设Ex与x无关）、方向相反。E3在硅体内，故为0。E5和E6为沿z方向的电场，不存在故为0。 E3的正方向向上，而Eox的实际方向向下，故有符号出现。S4的长度为W，宽度为dx。 * * 存在漏源电压时，实际加在氧化层二端的电压是栅源电压VGS和x点对源的电压Vx之差。 Qn’有负号（hxy） * * 左图中，黑点是实验数据，线是理论数据。 * 只要将n沟道公式中的VDS、VGS、VT换成VGD、VSG、-VT，即可得到p沟道的公式。注意p沟增强型VT0，而p沟耗尽型VT0。 * 跨导用来表征MOSFET的放大能力 * * * * * 当加在MOSFET上的交流信号幅度远小于直流电压幅度时，为小信号。//Vgs’是有效栅源电压（不计串联电阻引起的栅源电压部分）。 “漏源电容”改为“栅漏电容” hxy * 总的栅源电容和总的栅漏电容等于前面的cgd、cgs乘以栅面积WL。 Cgd “漏源电容”改为“栅漏电容” hxy * 右下角说明，rs的存在降低了有效栅压、漏源电流和跨导，而且rs越大，降低的程度就越大。带’的变量是rs存在的变量，不带‘的是rs=0时的变量。 * * * 密勒电容的作用是将跨越输入-输出端的电容等效到了输入端。 * 正比与某某的倒数（分母的参数）hxy I=js I