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第 23卷第 1期 中国有色金属学报 2013年 1月
Vol.23 No.1 The Chinese Journal of Nonferrous Metals Jan. 2013
文章编号:10040609(2013)01016206
高分子辅助化学溶液沉积法制备涂层导体
SrZrO (SZO)缓冲层
3
1 1 1 1 2 1 1,3
张 欣 ,王文涛 ,张 勇 ,张 敏 ,张 酣 ,雷 鸣 ,赵 勇
(1. 西南交通大学 超导与新能源研究开发中心 材料先进技术教育部重点实验室,成都 610031;
2. 北京大学 物理系,北京 100871;3. 新南威尔士大学 材料科学与工程学院,澳大利亚 悉尼 2052)
摘 要:采 用高分子辅助的化学溶液沉积法, 通过720~800 ℃之间进行烧结成相, 分别在氩气和空气中 SrTiO (STO)
3
单晶基底上沉积得到织构良好的 SrZrO (SZO)外延薄膜,重点研究不同热处理气氛对 SZO 薄膜织构和表面微结
3
构的影响。结果表明:氩气中制得的 SZO 外延薄膜 c 轴取向较好,且表面更加平整致密;氩气中 770 ℃制备的
SZO薄膜厚度超过 230 nm。而空气中制得的 SZO薄膜表面呈现局部团聚和开裂。在氩气中采用高分子辅助的化
学溶液沉积法有利于制备出低成本、高性能的涂层导体用单一 SZO缓冲层。
关键词:涂层导体;SrZrO 缓冲层;化学溶液沉积法;织构
3
+
中图分类号:TB33;TB34;O511 .3 文献标志码:A
Preparation of SrZrO (SZO) buffer layer for coated conductors by
3
polymerassisted chemical solution deposition method
1 1 1 1 2 1 1, 3
ZHANG Xin ,WANG Wentao , ZHANG Yong , ZHANG Min ,ZHANG Han , LEI Ming ,ZHAO Yong
(1.Key Laboratory of Magnetic Levitation
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