第八章 光刻,工艺.ppt

第八章 光刻;转移到硅片表面的光刻图形的形状完全取决于硅片层面的结构。图形可能是硅片上的半导体器件，隔离槽，接触孔，金属互连以及互连金属层的通孔。 光刻掩膜版衬底材料是石英，这种材料始终用在紫外光刻中。用做掩膜版的石英是最贵的材料并且有非常低的温度膨胀。低膨胀意味着掩膜版在温度改变时尺寸是相对稳定的。淀积在掩膜版上的不透明的材料是一薄层铬，厚度一般小于1000埃并且是溅射淀积的。;目标：1.在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求的尺寸的图形。这个目标称为晶圆的分辨率，也就是区分Si片上两个邻近图形的能力。 ;8.2 光刻工艺 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和正性光刻 8.2.1 负性光刻 负性光刻的基本特征是当曝光后，光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变为非溶性物质。 8.2.2 正性光刻 在正性光刻工艺中，复制到硅片表面的图形与掩膜版上的一样。光刻胶被曝光的部分从不可溶到可溶。 ;正性光刻;负性光刻;6.3 光刻10步法 ;2.涂光刻胶 在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻 胶;3.软烘焙 加热，部分蒸发光刻胶;4.对准和曝光 掩膜版和图形在晶圆上的精 确对准和光刻胶的曝光。;5.显影 非聚合光刻胶的去除;6.硬烘焙 对溶剂的继续蒸发;7.显影目检