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2、逻辑符号 P沟道增强型 G S D G S D N沟道增强型 栅极 漏极 源极 3、NMOS管特性 VGS≥ VTN(+2V)，形成沟道，等效开关接通。 VGS＜ VTN(+2V)，沟道夹断，等效开关断开。 G S D VDD 4、PMOS管特性 VGS≤ VTP(－2V)，形成沟道，等效开关接通。 VGS＞ VTP(－2V)，沟道夹断，等效开关断开。 G S D VDD 3.6.2 CMOS门电路 一、CMOS非门（反相器） (1)输入低电平，即若Ui=0V VGS1= 0V VTN，所以T1截止。 VGS2= -VDD VTP，所以T2导通。 UO=“1”=VDD，即输出为高电平。 (2)输入高电平，即若Ui=+5V=VDD VGS1=+5V VTN，所以T1导通。 VGS2= 0V VTP，所以T2截止。 UO=“0”，即输出为低电平。 T1 T2 UO Ui G S D VDD G S D T1 T2 驱动管串联连接，T3 T4 负载管并联连接。 二、CMOS与非门 VDD T1 T2 A B F T3 T4 0 0 0 1 1 0 1 1 A B T1 T2 T3 T4 F OFF OFF ON ON 1 ON OFF OFF ON 1 OFF ON ON OFF 1 ON ON OFF OFF 0