电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺学习资料.pptVIP

第五章 光刻;光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备;光刻是集成电路制造的关键工艺;一、光刻技术的特点;二、光刻三个基本条件;光刻三个基本条件——光刻胶PR(PhotoResist);传统胶片相机负片;光刻三个基本条件——光刻机;三、光刻技术要求;分辨率，是将硅片上两个相邻的特征尺寸图形区分开的能力。 套准精度，掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度。按照光刻的要求版上的图形与片上图形要精确对准。 工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范围内仍能达到关键尺寸要求的能力。;5.2 光刻工艺步骤及原理;光刻工艺的八个基本步骤;一、气相成底膜;脱水烘干;二、旋转涂胶; PR dispenser nozzle Wafer Chuck Spindle To vacuum pump;光刻胶作用： 1. 将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中； 2. 在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）;光刻工艺对光刻胶的要求： 1.分辨率高（区分硅片上两个相邻的最小特征尺寸图形的能力强） 2.对比度好（指曝光区和非曝光区过渡的陡度）; 3.敏感度好（是指硅片表面光刻胶中产生良好图形所需要的一定波长光的最小能量值，以mJ/cm2为单位