第一章可编程逻辑器件简介.pptVIP

③ 快闪存储器(Flash Memory)是新一代电信号擦除的可编程ROM。它既吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除快捷的特性，而且集成度可以做得很高。 图是快闪存储器采用的叠栅MOS管示意图。其结构与EPROM中的SIMOS管相似，两者区别在于浮栅与衬底间氧化层的厚度不同。在EPROM中氧化层的厚度一般为30~40 nm，在快闪存储器中仅为 10~15 nm, 而且浮栅和源区重叠的部分是源区的横向扩散形成的，面积极小, 因而浮栅-源区之间的电容很小，当Gc和S之间加电压时，大部分电压将降在浮栅-源区之间的电容上。快闪存储器的存储单元就是用这样一只单管组成的，如图 所示。 图 快闪存储器 (a) 叠栅MOS管； (b) 存储单元 PROM用于组合逻辑电路 D A A A 2 A 3 PROM 组合逻辑电路 PROM电路 1 0 输入A{3:0] 输出D 0000 0 0001 0 0010 0 0011 0 0100 0 0101 0 0110 0 0111 0 1000 1 1001 1 1010 1 1011 1 1100 1 1101 1 1110 1 1111 1 真值表 Q Q CP C 1 1 D A A 1 D 0 D 3 D 2 D 1 输出1 输出2 输出3 PROM构成时序逻辑 A 2 0 次态 现