第五章半导体中的电导现象和霍耳效应.docVIP

PAGE PAGE 44 第五章 半导体中的电导现象和霍耳效应 半导体在电磁场中的电荷输运现象主要包括电导﹑霍耳效应和磁阻等。这些现象是研究半导体基本特性的重要内容。通过对电导率和霍耳系数的测量，可了解半导体中的载流子密度、迁移率、禁带宽度、施主和受主电离能等基本参数。本章扼要介绍一下电导和霍耳效应。 §5-1 载流子的散射 载流子散射 在半导体中运载电荷而引起电流的是导带电子和价带空穴。这些载流子在半导体中运动并不是完全自由的，它们不断地受到振动着的晶格原子、杂质、缺陷以及其他载流子的“碰撞” ，使得其速度发生无规则变化。通常称这种“碰撞”现象为载流子散射。正因为这种散射作用，电子与电子之间，电子与原子之间，才可能交换能量，使它们成为一个热平衡体系。半导体中的载流子主要通过与晶格中的不完整性发生碰撞交换能量的，载流子之间的散射一般情况下是次要的。 热平衡情况下，散射作用使得载流子的运动是完全无规则的，因此半导体中无电流流动。当有外电磁场存在时，载流子除了作无规则的热运动外，还要在外场作用下作定向运动，这种定向运动称漂移运动。 半导体中的电荷输运现象是由漂移运动引起的。载流子的漂移运动一方面与外电磁场有关，另一方面又与半导体内部的不完整性对其散射有关，散射对漂移起阻碍作用。正是由于这两种对立的因素同时存在，载流子的运动才有可能达到稳定状态。在输运现象的简单理论中，只需分析在外场作用下载流子在相继两次碰撞之间的平均漂移运动。 散射几率和驰豫时间 平均自由时间： 载流子在相继两次碰撞之间所经历的时间并不是一样的，有长有短。因此一般采用平均自由时间来表示载流子在相继两次碰撞间所经历的时间。 散射几率： 用来描述载流子被碰撞的频繁程度的物理量。若平均自由时间为，则散射几率为1/。 驰豫时间： 散射可使载流子的定向运动速度消除，使无规则的热运动得以恢复，时间常数正是表示散射过程进行的快慢的物理量，通常称驰豫时间。对于各向同性的散射，=。但对各向异性的散射，。一般来讲，晶格振动散射为各向同性散射，而电离杂质散射则为各向异性散射。 散射机构 主要有两种： 晶格振动散射 晶格振动散射可归结为各种格波对载流子的散射。根据准动量守恒条件，引起电子散射的格波的波长必须与电子的波长有相同的数量级。由于室温下电子热运动所对应的波长约为10nm，所以在半导体中起主要散射作用的是波长较长的格波，也就是比原子间距大许多倍的格波。而且理论分析表明只有长的纵波在散射中起主要作用，并且 1）对于具有球形等能面的半导体，萧克莱和巴丁利用畸变势理论得到纵声学波的散射几率为 （5-1） 式中，为晶格密度，u为纵波速度，为载流子速度，为载流子有效质量，E1由下式决定： 或 （5-2） 这里，或是晶体原体积作一小的改变而引起的导带底或价带顶能量的改变量，E1称形变势常数。因为载流子热运动速度与成比例，所以由（5-1）式可看出声学波的散射几率与成比例，即： （5-3） 这表明纵声学波对载流子的散射作用随温度升高而增大。 2）对光学波散射，一般情况下较复杂。但在低温下当载流子能量远低于长光学波声子能量时，只存在吸收声子的散射过程，散射几率为 （5-4） 式中，为真空电容率，为静电相对介电常数，为光学（高频）相对介电常数，为频率为的格波的平均声子数。从而当时，有： （5-5） 此时随温度升高，散射几率按指数律迅速增加。 电离杂质散射 半导体中电离的施主杂质或受主杂质是带电的离子，在其周围存在库仑场，当载流子从电离杂质附近经过时，由于库仑作用，便改变了运动方向，也就是被散射了。图5-1画出了电离施主对电子和空穴的散射。 如果载流子具有各向同性的有效质量，那么载流子被电离杂质散射的运行轨道为双曲线，电离杂质位于双曲线的一个焦点上，θ为散射角。应该指出，电离杂质对载流子的散射是各向异性的，前向（小角度）散射几率大，反向（大角度）散射几率小。 设电离杂质的密度为NI，每个离子所带的电荷为ze，在每个电离杂质附近，载流子受到的库仑作用势能为 （5-6） 这里，r为载流子距电离杂质中心的距离，若载流子所带电荷与电离杂质同性，则载流子被排斥，上式取正号，反之取负号。在电离杂质间的平均距离的一半处，即 处，电离杂质对载流子的库仑作用被平均分布的静电屏蔽终止。