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学习检测一 一、填空题 1.杂质，本征半导体和掺入的杂质 2.大于，变窄。小于，变厚 3.电子，空穴 4.变窄，大于 5.0.6-0.8，0.7；0.1-1.3，0.2 6. 1.2~2V，高于?，? 7.稳压。?稳定电压，额定电流，动态电阻， 额定功耗，温度系数 二、判断题 1. × 2.√ 3. × 4.× 5.√ 6.× 7. × 三、选择题 1. A 2.C 3. D 4.C 5.B 四、简答题 1. PN结的伏安特性有何特点？ 答：PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了PN结的单向导电性。 伏安特性的表达式为： 式中iD为通过PN结的电流，vD为PN结两端的外加电压，VT为温度的电压当量，，其中k为波耳兹曼常数（1.38×10-23J/K），T为 热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（1.6×10-19C）。在常温下，VT?≈26mV。Is为反向饱和电流，对于分立器件，其典型值为10-8~10-14A的范围内。集成电路中二极管PN结，其Is值则更小。 当vD0，且vDVT时，?； 当vD0，且时，iD≈–IS≈0。 电容特性:PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的 电容量随外加电压改变，主要有势垒电容（CB）和扩散电容（CD）。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 势垒电容：势垒电容是由 空间电荷区的 离子薄层形成的。当外加 电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的 电荷量也随之变化。势垒区类似平板电容器，其交界两侧存储着数值相等极性相反的离子电荷，电荷量随外加电压而变化，称为势垒电容，用CB表示，其值为：。在PN结反偏时结电阻很大，CB的作用不能忽视，特别是在高频时，它对电路有较大的影响。CB不是恒值，而是随V而变化，利用该特性可制作变容二极管。PN结有突变结和缓变结，现考虑突变结情况，PN结相当于 平板电容器，虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄 但这个变化比较小可以忽略，则，已知动态平衡下阻挡层的宽度L0，代入上式可得： 扩散电容：PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小，这样，当外加电压变化时，有载流子向PN结“充入”和“放出”。PN结的扩散电容CD描述了积累在P区的电子或N区的空穴随外加电压的变化的电容效应 2. 什么是 PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？ 答：PN结加反向电压时， 空间电荷区变宽，区中 电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制 电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称 击穿电压。基本的击穿机构有两种，即 隧道击穿（也叫 齐纳击穿）和 雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。 雪崩击穿：阻挡层中的 载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此 连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，象雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。 齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成电子一空穴对，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。 热电击穿：当PN结施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热量。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。 击穿电压的温度特性：温度升高后，晶格振动加剧，致使载流子运动的平 均自由路程缩短，碰撞前动能减小，必须加大反向电压才能发生雪崩击穿具有正的温度系数，但温度升高，共价键中的价电子能量状态高，从而齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。 3. PN结电容是怎样形成的？和普通电容