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目 录
TOC \o 1-3 \h \u 19360 目 录 1
16207 第一章 绪论 1
22867 1.1 版图设计 1
6975 1.1.1设计流程 1
6142 1.1.2设计步骤 1
17131 1.1.3 设计规则及验证 1
25752 1.2 标准单元版图设计 2
18016 1.2.1标准单元版图设计简介及历史 2
524 1.2.2标准单元版图设计的意义 2
19373 第二章 触发器介绍 4
22991 2.1 触发器简介 4
2951 2.2 主从D触发器的工作原理 4
19057 第三章 0.35um工艺主从D触发器的设计 6
6191 3.1主从D触发器电路图的设计步骤及电路图 6
15223 3.1.1 设计步骤 6
26698 3.1.2 电路图 6
10555 3.2主从D触发器版图的设计步骤及电路图 7
11734 3.2.1 设计步骤 7
12462 3.2.2 版图 7
348 3.3 DRC和 LVS验证方法和结果 8
8740 第四章 CMOS SRAM 单元介绍 9
27655 4.1 CMOS SRAM单元介绍 9
7065 4.1.1 CMOS SRAM单元原理 9
28510 4.1.2 CMOS SRAM单元的工作原理 9
28179 4.1.3 CMOS SRAM 单元的设计方法 9
24472 4.2 单个 CMOS SRAM电路原理图 10
28422 第五章CMOS SRAM单元0.35um工艺版图设计 12
19959 5.1 单个 CMOS SRAM 单元 12
7654 5.1.1单个 CMOS SRAM 单元的设计步骤及电路图 12
27269 5.1.2 单个 CMOS SRAM 单元的版图 13
1872 5.2 DRC和 LVS验证方法和结果 14
16678 5.3 2位×8位CMOS SRAM阵列版图的设计步骤及DRC验证 15
23151 心得体会 16
5093 参考文献 17
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第一章 绪论
1.1 版图设计
版图设计是一组相互套合的图形,各层版图相应不同的工艺步骤,每层版图用不同的图案来表示,版图与所制备的工艺密切相关。
1.1.1设计流程
版图设计是创建工程制图的精确的物理描述的过程,而这一物理描述遵守由制造工艺、设计流程以及仿真显示为可行的性能要求所带来的一系列约束。
1.1.2设计步骤
具体设计步骤如下:系统设计,逻辑设计,电路图设计,版图设计,版图后仿真验证。
1.1.3 设计规则及验证
在版图中我们的的器件与连线都是由不同的层组成的,(例如mos的话,就必须有有源区,栅,注入,接触孔,所以在设计的时候有有很多规则啊,例如孔的尺寸啊,间距啊,金属,栅或者有源区包孔的尺寸啊, )版图在设计过程中器件中,各种版图层所需要遵守的规则。有多少版图层就会有多少设计规则,不同的工艺间的相同层的规则也是不一致的。主要就是分为4个方面:最小宽度,最小间距,最小延伸,最小包围,版图设计的好坏,其功能正确与否,必须通过验证工具才能确定。版图的验证通常包括三大部分:设计规则检查(DRC)、电学规则检查(ERC)和版图与电路对照(LVS)。只有通过版图验证的芯片设计才进行制版和工艺流片。
1.2 标准单元版图设计
1.2.1标准单元版图设计简介及历史
标准单元也叫宏单元。它将电路设计中可能会遇到的所有基本逻辑单元的版图按照最佳设计的一定的外形尺寸要求精心绘制好并存入单元库中。实际设计电路时,只需从单元库中调出所要的元件版图,再按照一定的拼接规则拼接,留出规则而宽度可调的布线通道,即可顺利的完成整个版图的设计工作了。基于标准单元的设计是指把一些基本单元乃至具有相当强功能的模块预先设计好,作为标准单元存入CAD 系统中,构成标准单元库。设计时从标准单元库调用所需的单元,排成若干行,行间留有布线通道进行布线。基于标准单元的ASIC 设计有芯片面积利用率高、布通率高、芯片延时均衡性好的特点,逻辑综合是基于标准单元ASIC 设计中的重要环节,它是指基于用户指定的约束,将用硬件描述语言描述的设计转化为目标工艺库中门的过程。逻辑综合起着分水岭的作用,逻辑综合效果的好坏直接影响到后端设计的质量,因此是设计者十分关注的问题。综合优化是根据逻辑综合结果进行分析,采取各种手段提高主频,降低面积和功耗,它是提高逻辑综合质量的重要措施。标准单元设计法中很重要的步骤就是选择合适的单元库, 或者自己建立单元库。单元库包括逻辑符号库、功能参数库和版图库, 其中最重要的就是版图库。单元库中的每个标准单元均具有相同的高
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