第三章光器件.ppt

3.3.3 LD的工作特性－调制特性 自脉动现象： 自脉动现象往往和 P-I曲 电 脉 冲 线的非线性有关。 光 脉 冲 激光器自脉动现象 3.3.3 LD的工作特性－调制特性 调制速率低时， 结发热 效应 现象更明显。 结发热效应： 定义：由于调制电流的 作用，引起激光器结区 温度的变化，使输出光 脉冲的形状发生变化。 电流 脉冲 光脉冲 t ＝0 t ＝ T I 1 I 0 结发热现象 TPN结 ↑→ I th ↑→ Pout ↓→ A ↓ TPN结 ↓→ Ith ↓→ Pout ↑→ A ↑ 3.3.3 LD的工作特性－激光模式 激光腔的振荡模式 LD的纵模 LD的横模 LD的纵模 —— 激光腔只支持 频率满足 υm = mc（2nL）的模式 近场分布 近场分布： 远场分布 远场分布 ： 3.3.3 LD的工作特性－激光模式 LD的横模 是一种稳定的电磁场分布； 表现为激光器输出能量在空间上的稳定的分布。 θL : 30 40o o θL θT 3.3.3 LD的工作特性－激光模式 LD基模的近场和远场分布均可拟合为高斯分布。 近场分布 —— 通常为横椭圆形状 远场分布 —— 是激光器发散角的一种度量，对激 光与光纤的耦合有重要影响。 角宽度 θT 和 θL 定 义为相应角分布 的 FWHM o 提高 LD输出光的性能 : 1. 从横模的角度 —— 使 LD工作于单横模发光 实现办法：通过控制有源层的厚度和宽度 3.3.4 单纵模半导体激光器 多纵模激光器：输出谱宽较宽 设计 SLM激光器可使谱宽进一 步变窄 3.3.4 单纵模半导体激光器 提高 LD的性能 : 2. 从纵模的角度 —— 使 LD工作于单纵模发光 实现办法：设计 窄谱线单纵模激光器 单纵模激光器：输出谱宽较窄 是不同纵模具有不同的腔损耗。 具有最低光腔损耗的纵模最先达到阈值并成为支配模式。 其他邻模由于高损耗而被截止。 邻模携带的功率在总的辐射功率中只占很小一部分 （ 1%）。 SLM激光器设计的基本思想: ? 3.3.4 单纵模半导体激光器 模式抑制因子（ MSR） SLM激光器的性能一般用模式抑制因子（ MSR） 表征，定义为： MSR = 主模功率 主要边模的功率 = Pmm Psm 通常， SLM激光器的模式抑制因子（ MSR） 应 超过 1000（或者 30 dB） 。 MSR = Pmm Psm = 10lg(1000) [dB] = 30 [dB] 3.3.4 单纵模半导体激光器 SLM 半导体激光器的结构： 分布反馈（ DFB） 激光器 耦合腔激光器 3.3.4 单纵模半导体激光器 分布反馈（DFB）激光器 反馈不位于端面上，而是分布在整个光腔长度上 ， 通过折射率周期扰动的内建光栅产生布拉格散 射，并使正向和反向传播的波相互耦合。 DFB的模式选择条件为 布拉格条件 ： —— 只有当波长满足 Λ = m(λB 2n )耦合才发生。 3.3.4 单纵模半导体激光器 DFB激光器： —— 反 馈 发 生 在 整 个 光 腔 有 源 区 长 度 上 。 分布布拉格反射（ DBR） 激光器： —— 反 馈 不 发 生 在 有 源 区 内 ， 而 是 在 激 光 器 末 端 制作布拉格反射镜。 3.3.4 单纵模半导体激光器 分布布拉格反射（DBR）激光器： DBR的工作机理 ： DBR末端区域起到镜子的作 用，该镜子对波长等于 λB 的纵模反射率最大， 因此，光腔损耗对最靠近 λB 的纵模最小。 3.3.4 单纵模半导体激光器 耦合腔半导体激光器 单纵模工作通过将光耦 合到外腔来实现。 工作机理：一部分反射 光从外腔反馈回激光光 腔，因为在外腔发生了 相移，仅当那些波长几 乎与一个外光腔纵模的 波长一致的激光模式才 能发生同相反馈。 面对外光腔的激光器的 端面的有效折射率变成 与波长相关； 外腔引入的相位使端反 射镜的有效反射率随波 长变化，导致激光腔损 耗的周期性变化； 最靠近增益峰值，并具 有最低损耗的纵模成为 主模。 3.3.4 单纵模半导体激光器 耦合腔半导体激光器的三种方案 1. 外腔半导体激光器： 制造方法：将半导体激光器发的光耦合到一个外 光栅。 为提供强的耦合，可采用增透膜降低面向光栅的解 理面的自然反射率； 可通过旋转光栅在宽范围调谐 ， 作为波长可调谐光 源。 3.3.4 单纵模半导体激光器 2. C3激光器 （解理耦合腔激光器 ） 制造方法：通过将一个常规多模激光器在中间解理，