第02章半导体材料的基本性质--20150318(1).pptx

第02章 半导体材料的基本性质;第二章 半导体材料的基本性质;教学基本要求;2.1 半导体的晶体结构;2.1.1 晶体;晶胞参数;七大晶系;2.1.3 晶体结构;（1）晶胞中质点的占有率;（2）密排堆积方式;简单立方堆积;体心立方堆积;面心立方堆积;密排六方堆积;金刚石型堆积;半导体的晶体结构;;;晶格常数a (埃);;;3、纤锌矿型结构;第02章 半导体材料的基本性质;4、氯化钠型结构;2.1.3 晶体类型;2.2 半导体的能带结构;2.2.1 单原子结构;原子能级结构图;多电子原子能级;原子能级分裂为能带;晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场以及其它大量电子的平均势场中运动 大量电子的平均势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格的周期相同。 因而可以先分析自由电子的状态，接着再考虑加上一个平均场后的电子状态;（1）自由电子的薛定谔方程;（1）自由电子的电子状态;自由电子E与k的关系;（2）晶体中的电子状态;晶体中电子的E(k)与K的关系;布里渊区;2.2.3 半导体中的电子分布;电子分布原则;2.2.4 半导体的载流子;（1）电子;（2）空穴;半导体的导电特征;2.2.5 半导体的能带结构;直接带隙和间接带隙;直接带隙半导体和间接带隙半导体;2.3 半导体中的杂质和缺陷;2.3.1 本征半导体;实际晶体不是理想情况;2.3.2 杂质半导体;2.3.3 N型半导体;N型半导体的概念;施主电离能和施主能级;多子和少子;2.3.4 P型半导体;P型半导体的概念;受主电离能和受主能级;自补偿效应;;;(3) ND≈NA;热平衡条件;电中性条件;2.4 半导体的导电性;2.4.1 欧姆定律;电流密度;迁移率;2.4.2 电导率;本征半导体的电导率;2.4.3 霍尔效应;第02章 半导体材料的基本性质;电场力：fε=qEx;;;; 3.求霍尔角θ及空穴迁移率μ和电导率σ ;第02章 半导体材料的基本性质;1．霍尔效应的形成过程;;;两种载流子同时存在;1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数 RH;－y方向;+y方向;;(2) p型半导体 ;● 过渡区 ;;(3) N 型半导体 ;● 温度再升高，少子浓度升高 ;;●ND或NA升高，RH下降，RH～T 变化规律一样 ;霍尔效应测量中的副效应;（1）不等位电势 由于测量霍尔电压的电极A 和A‘ 位置难以做到在一个理想的等势面上, 因此当有电流I S 通过时, 即使不加磁场也会产生附加的电压V0= I S r , 其中r 为A 、A ’所在的两个等势面之间的电阻。 不等位电压产生的原因主要有工艺误差如电极定位误差、杂质扩散不均匀引起的误差、外界机械压力通过压阻效应造成的偏差等。;第02章 半导体材料的基本性质;第02章 半导体材料的基本性质;（4）里纪—勒杜克效应 由能斯脱效应产生的热电流也有爱廷豪森效应。 样品沿X方向有温度梯度，引起载流子沿梯度方向扩散而有热流Q通过样品，在此过程中，载流子受Z方向的磁场作用下，在Y方向引起类似于爱廷豪森效应的温度差V R , 称为里纪- 勒杜克效应。 VR 与I S 无关, 只与磁场B 有关。;副效应的消除方法;（2）能斯托效应和里纪- 勒杜克效应的减小措施 能斯托效应和里纪- 勒杜克效应均和霍尔工作电流I S 无关, 而只与磁感应强度B有关。所以,采用电流和磁场换向的对称测量法减小这两个效应的影响。; 测量时首先任取某一方向的I S 和B 为正, 用+ B、+ I S 表示, 当改变它们的方向时为负, 用- B 、- I S 表示, 保持I S、B 的数值不变, 在( + B、+ I S )、 ( - B 、+ IS )、( - B、- I S )、( + B、- IS ) 四种条件进行测量, 则测量结果分别为: 当+ B、+ I S 时V1= VH + V0 + V E+ VN + VR?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? 当- B、+ IS 时 V2= - VH + V 0- V E- V N - V R 当- B、- IS 时 V3= VH - V0+ VE- VN - VR 当+ B、- I S 时 V4= - V H - V0- VE+ VN + V R 从上述结果中消去V0 、VN 和VR , 得到 VH =（1/4）( V1- V2+ V3- V4 ) - VE 经过处理后, 不等位电压V0、能斯托效应叠加的电势VN 和里纪- 勒杜克效应叠加的电势V R 都已经基本消除。;VH =（1/4）( V1- V2+ V3- V4 ) – VE 由于VE符号与和两者方向的关系和VH是相同的，故无