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高电压绝缘技术 第二章—气体击穿理论 概述 名词解释 第一节：气体放电主要形式 碰撞电离使分子分解为电子和正离子； 碰撞电离的条件： 带电质点的平均自由行程： 电子引起的碰撞电离占主导地位：电子与分子发生弹性碰撞，几乎不损失动能，易积聚能量；离子与分子碰撞损失能量大，则积聚起能量造成碰撞电离的概率小。 光电离的条件：光子能量 引起光电离临界波长： 阳光照射形成地球大气电离层，但由于大气层的阻挡作用，到达地面的最短波长大于290nm，不足以引起光电离。 导致光电离的高频高能光子由外界供：人为X光照射 热电离的本质：高速运动气体分子的碰撞电离和光电离，能量源自热能，而非电场能。 热电离的条件： 常温气体分子平均动能小于空气电离能，不能引起热电离。 热运动状态的气体也发生热辐射，高能光子也引起光电离 热电离过程产生的电子高速运动，高自由能电子也会因碰撞作用导致分子电离。 热电离实质上是热状态产生的光电离与碰撞电离的综合。 电极表面电离：气体放电中存在阴极发射电子的过程。 逸出功：使阴极释放电子所需的能量。与金属的微观结构和表面状态有关，与温度基本无关。 电极表面电离条件：光子能量大于金属表面逸出功。 正离子碰撞阴极，将能量传递给阴极电子。 当正离子能量大于阴极材料表面逸出功2倍以上时，才可能撞出自由电子。 实际上，平均每100个正离子才能撞出一个有效自由电子 金属表面逸出功一般小于气体分子电离能，因此，电极的表面电离对气体放电很重要。 光电效应：光照射金属表面而发射出自由电子。 光电子发射条件：光子能量大于金属表面逸出功。 实际上，一部分入射光子被反射，电极吸收的光能大部分化为金属的热能，平均每100个光子入射才能放射出一个有效自由电子。 加热后的阴极温度很高，其电子易克服金属材料的表面逸出功而射出阴极。 场致效应：对阴极施加高场强（1MV/cm）而使其发射有效自由电子。一般气体不会发生场致放射，而在高真空间隙的击穿时，强场放射非常重要。 气体发生放电时，既有形成带电质点的电离过程，同时也有带电质点的消失过程。 电场作用下的气体放电能否发展到击穿，取决于两种过程的发展情况。 带电质点具有复杂运动轨迹：因碰撞引起散射与混乱热运动；沿电场方向作定向漂移。 驱引速度v=bE，b为迁移率。 电子的迁移率远大于离子，约两个数量级。 带电质点由高浓度区向低浓度区移动，使空间各处浓度趋于均匀的过程。 带电质点的扩散是由热运动造成的。 电子的扩散作用远大于离子。 带有异号电荷的质点相遇，发生电荷传递、中和而还原为中性质点的过程。 复合率与正负电荷的浓度有关，浓度越大则复合率越高；强电离区亦即强复合区。 放电过程的复合主要是正、负离子间的复合，要远强于电子与正离子之间的复合作用。 电子与气体分子碰撞先形成负离子，后复合。负离子电离能力降低，对放电起抑制作用。 带电质点的复合过程伴随着光辐射作用，重新成为导致光电离的因素。 电离过程吸收能量，产生电子等带电质点，促进放电发展，电气强度降低，不利于绝缘；复合过程释放能量，使带电质点减少消失，有利于保持绝缘强度，阻碍放电过程的发展。 两种过程在气体放电过程中同时存在，条件不同，强弱程度不同。电离主要发生在强电场区、高能量区；复合主要发生在低电场、低能量区。 带电质点复合过程的光辐射效应，在一定条件下也会成为二次电离的条件。 第四节：均匀电场中气体击穿的发展过程 碰撞电离与电子崩 电子崩：连续多次碰撞电离使得电子数按几何级数增长，如雪崩状发展，电流急剧增加。 电子碰撞电离系数α：单个电子由阴极到阳极每经１ｃｍ路程，与气体质点相撞发生的碰撞电离次数，也即：单位行程内因碰撞电离产生的自由电子数。 电子崩过程称α过程（忽略β过程：正离子碰撞） 电子平均自由行程λ∝T/P：每两次碰撞之间电子自由通过的距离。单位长度内电子的平均碰撞次数：1/λ 电流随电极间距指数变化的数学描述 I0:外电离引起的饱和光电流。 Id:外电路电流。 碰撞电离产生的正离子数等于新增电子数： N0(ｅαd－1) α过程电子崩放电不能自持：I0=0时，Id＝0 碰撞电离系数的数学描述 碰撞电离系数的数学描述 γ过程与自持放电条件 α过程：电子的空间碰撞电离，放电不能自持。 β过程：正离子空间碰撞电离，可忽略。 γ过程：阴极材料表面的电子发射现象－正离子撞击阴极＋复合过程的光辐射效应（光电离）等。 γ：单个正离子撞击阴极平均发射出的自由电子数。 3. γ过程与自持放电条件 汤逊放电：γ过程（阴极效应）α过程（空间效应）的综合；与阴极材料及其表面状态有关。适用范围有限。 汤逊自持放电理论 一个电子从阴极到阳极因电子崩形成正离子数为 ead-1，正离子撞击阴极形成二次自由电子数为γ(ead-1) ，若它等于1，意味着阴极产生原电子的一个