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第二章 半导体特性 201309013 第二周 晶体结构和取向 硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如下： 晶体结构和取向 原子最外层的电子称为价电子，有几个价电子就称它为几族元素。 若原子失去一个电子，称这个原子为正离子，若原子得到一个电子，则成为一个带负电的负离子。原子变成离子的过程称为电离。 晶体结构和取向 晶体结构 固体可分为晶体和非晶体两大类。原子无规则排列所组成的物质为非晶体。而晶体则是由原子规则排列所组成的物质。晶体有确定的熔点，而非晶体没有确定熔点，加热时在某一温度范围内逐渐软化，如玻璃。 半导体材料硅的晶体结构 单晶和多晶的区别 在整个晶体内，原子都是周期性的规则排列，称之为单晶。由许多取向不同的单晶颗粒杂乱地排列在一起的固体称为多晶。 晶体结构和取向 硅晶体内的共价键 硅晶体的特点是原子之间靠共有电子对连接在一起。硅原子的4个价电子和它相邻的4个原子组成4对共有电子对。这种共有电子对就称为“共价键”。 晶体结构和取向 硅晶体的金刚石结构 晶体对称的，有规则的排列叫做晶体格子，简称晶格，最小的晶格叫晶胞。以下是较重要的几个晶胞： 晶体结构和取向 金刚石结构是一种复式格子，它是两个面心立方晶格沿对角线方向上移1/4互相套构而成。 晶体结构和取向 晶面和晶向 晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面上，这些平面就称为晶面。每个晶面的垂直方向称为晶向。 一、半导体的晶格结构、各向异性 晶体结构和取向 原子密排面和解理面 在晶体的不同面上，原子的疏密程度是不同的，若将原子看成是一些硬的球体，按照下图方式排列的晶面就称为原子密排面。 晶体结构和取向 比较简单的一种包含原子密排面的晶格是面心立方晶格。而金刚石晶格又是两个面心立方晶格套在一起，相互之间沿着晶胞体对角线方向平移1/4而构成的。我们来看面心立方晶格中的原子密排面。按照硬球模型可以区分在(100)(110)(111)几个晶 面上原子排列的情况。 晶体结构和取向 单晶制绒 (各向异性腐蚀) 硅的各向异性腐蚀是指对硅的不同晶面具用不同的腐蚀速率.各向异性腐蚀剂一般分为两类:一类是有机腐蚀剂：包括EPW和联胺等另一类无机腐蚀剂,包括无机碱性腐蚀剂如KOH NaOH LiOH等, 单晶制绒腐蚀剂用的是无机碱性腐蚀剂. 在腐蚀液浓度一致的前提下, 改变腐蚀液的温度, 各晶面的腐蚀速率随温度的变化示于图5 不同晶面腐蚀速度 腐蚀过程的化学反应 硅(100) 晶面原子在NaOH 腐蚀过程中出现的状态示意图(图1) 晶体结构和取向 金钢石晶格是由面心立方晶格构成，所以它的(111)晶面也是原子密排面，它的特点是，在晶面内原子密集、结合力强，在晶面之间距离较大，结合薄弱，由此产生以下性质： 1、由于(111)密排面本身结合牢固而相互间结合脆弱，在外力作用下，晶体很容易沿着(111)晶面劈裂，晶体中这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。 晶体结构和取向 2、由于(111)密排面结合牢固，化学腐蚀就比较困难和缓慢，而(100)面原子排列密度比(111)面低。所以(100)面比(111)面的腐蚀速度快，选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，(100)面腐蚀速度比(111)面大的多，因此，用(100)面硅片采用这种各向异性腐蚀的结果，可以使硅片表面产生许多密布表面为(111)面的四面方锥体，形成绒面状的硅表面。 2.3 禁带宽度 原子中的电子在原子核的势场和其他电子的作用下，它们分别在不同的能级上，形成电子壳层。晶体中，各个原子互相靠的很近，不同原子的内、外壳层都有一定的重叠，电子不在局限在某一个原子中，可以由一个原子转移到相邻的原子上，导致电子共有化运动，结果使孤立原子的单一能级分裂行成能带。 根据电子先填充低能级的的原理，下面的能带先填满电子，这个带被称为价带或满带，上面的未被电子填满的能带或空能带称为导带，中间以禁带相隔。 已被电子填满的能带称为价带 2.3 禁带宽度 电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移.当电子获得足够能量的时候将越过禁带发生跃迁。 2.3 禁带宽度 2.3 禁带宽度 导体：能带交叠，即使极小的外加能量就会引起导电。 绝缘体：能带间距很大，不可能导电。 半导体：禁带比绝缘体窄很多，部分电子因热运动从价带跳到导带，使导带中有少量电子，价