多晶硅生产工艺培训课件(ppt 56页).pptVIP

三氯氢硅氢还原的原理及影响因素 1.三氯氢硅还原反应原理 经提纯和净化的SiHCl3和H2，按一定比例进入还原炉，在1080℃～1100℃温度下，SiHCl3被H2还原，生成的硅沉积在发热体硅芯上。 化学方程式： SiHCl3 + H2 Si + 3HCl (主) 同时还发生SiHCl3热分解和SiCl4的还原反应： 4SiHCl3 Si + 3SiCl4 +2H2 SiCl4+ 2H2 Si + 4HCl 以及杂质的还原反应，例如： 2BCl3 + 3H2 → 2B + 6HCl 2PCl3 + 3H2 → 2P + 6HCl 1080℃～1100℃ 1080℃～1100℃ 1080℃～1100℃ * 硅及其硅的氯化物的简介 二、硅的氯化物 硅的氯化物主要介绍SiCl4、SiHCl3等，它们和碳的卤化物CF4和CCl4相似，都是四面体的非极性分子，共价化合物，溶沸点都比较低，挥发性也比较大，易于用蒸馏的方法提纯它们。 在常温下，纯净的SiCl4、SiHCl3是无色透明的易挥发液体。 1.氯硅烷的物理性质 在常温下，纯净的SiCl4、SiHCl3是无色透明挥发性的液体， SiHCl3比SiCl4具有更强的刺鼻气味。 SiCl4:沸点为57.6℃，分子量170，液体密度1.47 g/cm3 SiHCl3 :沸点为31.8℃，分子量135.45，液体密度1.32 g/cm3 * 硅及其硅的氯化物的简介 2.化学性质 a.易水解、潮解，在空气中强烈发烟 易水解、潮解： SiCl4 + (n+2)H2O → SiO2·nH2O + 4HCl SiHCl3 + nH2O → SiO2·nH2O + 3HCl b.易挥发、易汽化、易制备、易还原。 c. SiHCl3易着火，发火点28℃，燃烧时产生HCl和Cl2，着火点为220℃。 d.对金属极为稳定，甚至对金属钠也不起反应。 e.其蒸汽具有弱毒性，与无水醋酸及二氮乙烯的毒性程度极为相同。 * 硅及其硅的氯化物的简介 SiHCl3 SiHCl3还原制备超纯硅的方法，在生产中被广泛的应用和迅速发展。因为它容易制得，解决了原料问题，容易还原呈单质硅，沉积速度快，解决了产量问题，它的沸点低，化学结构的弱极性，使得容易提纯，产品质量高，利用它对金属的稳定性，在生产中常用不锈钢作为材质。但有较大的爆炸危险，因此在操作过程中应保持设备的干燥和管道的密封性，如果发现微量漏气，而不知道在什么地方时，可用浸有氨水的棉球接近待查处，若有浓厚白色烟雾就可以断定漏气的地方。 原理如下: 2HCl + 2NH4OH → 2NH4Cl + H2O * 多晶硅简介 多晶硅 polycrystalline silicon 性质：灰色金属光泽。 密度：2.32～2.34g/cm3。 熔点：1410℃。 沸点：2355℃。 溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。 硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。 加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。 常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。 * 多晶硅简介 电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。 由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，被称为“微电子大厦的基石”。 * 多晶硅简介 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 * 多晶硅简介 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为金属级、电