第一章半导体的物质结构和能带结构.docVIP

PAGE 192 第4章 PAGE 191 半导体物理学简明教程 第4章 pn结 对NA=1×1017cm-3，ND=1×1015cm-3的突变pn结，通过计算比较其制造材料分别为Si和GaAs时室温下的自建电势差。 解：pn结的自建电势 已知室温下，eV，Si的本征载流子密度，代入后算得： GaAs的本征载流子密度，代入后算得： 接上题，分别对Si结和GaAs结求其势垒区中1/2势垒高度处的电子密度和空穴密度。 解：根据式(4-14)，该pn结势垒区中qVD-qV(x)=1/2qVD处的热平衡电子密度为 对于Si： 代入数据计算得 对于GaAs：代入数据计算得 根据式（4-17），该处的空穴密度为 对于Si： 代入数据计算得 对于GaAs：代入数据计算得 设硅pn结处于室温零偏置时其n区的EC - EF =0.21eV，p区的EF-EV=0.18eV。(a)画出该pn结的能带图；(b)求p区与n区的掺杂浓度NA和ND；(c)确定接触电势差VD。 解：（b）假定室温下p区和n区的杂质都已完全电离，则平衡态费米能级相对于各自本征费米能级的位置可下式分别求得： ; 室温下 代入数据可得： 代入数据可得： (c) 接触电势差可表示为 代入数据得： 一硅突变pn结的n区?n=10??cm，?p=5?s；p区?p=0.1??cm，?n=1?s，计算室温任意正向偏压下:：(a)空穴电流与电子电流之比；(b)反向饱和电流密度；(c)0.5V正向电压下的电流密度。 解：解：由，查得， 由，查得， 由爱因斯坦关系可算得相应的扩散系数分别为 ， 相应的扩散长度即为 , 对掺杂浓度较低的n区，因为杂质在室温下已全部电离，，所以 对p区，虽然NA=3?1017cm-3时杂质在室温下已不能全部电离，但仍近似认为pp0=NA， 于是，可分别算得空穴电流和电子电流为 空穴电流与电子电流之比 饱和电流密度： 当U=0.3V时： 计算当结温从300K上升到450K时，硅pn结反向饱和电流增加的倍数。 解：根据反向饱和电流JS对温度的依赖关系： 式中，Eg(0)表示绝对零度时的禁带宽度。由于比其后之指数因子随温度的变化缓慢得多，主要是由其指数因子决定，因而 对题1所设的pn结，求正偏压为U伏时，电子和空穴的准费米能级在空间电荷区两侧边界xn和xp处距本征费米能级的距离。 解：对NA=1×1017cm-3，ND=1×1015cm-3的突变pn结 对于Si材料： 当正偏压为U伏时，,其中 代入数据可以计算得： 电子准费米能级剧本征费米能级位置为： 当正偏压为U伏时，,其中 代入数据可以计算得： 电子准费米能级剧本征费米能级位置为： 对于GaAs材料： 当正偏压为U伏时，,其中 代入数据可以计算得： 电子准费米能级剧本征费米能级位置为： 当正偏压为U伏时，,其中 代入数据可以计算得： 电子准费米能级剧本征费米能级位置为： 设硅pn结两边的掺杂浓度分别为ND=5×1016cm-3和NA=2×1016cm-3，T=300K。求其在0.61V正偏压下空间电荷区两侧边界处xn和xp的少子密度。 解：当正偏压为0.61V时，,其中 代入数据可以计算得： 当正偏压为0.61V时，,其中 代入数据可以计算得： 对Ge、Si、GaAs三种pn结以Si为准求另外两种在室温下的归一化反向饱和电流密度，设三种结的掺杂情况相同，载流子的寿命和迁移率也相同。 解：因为 对于Si： 因为NA,ND相同，Dp，Dn相同，Ln，Lp相同 所以 因此 同理可得 若计入反偏压下空间电荷区的产生电流，并以JG/JRD=1作为pn结反向特性偏离理想状态的表征，相应的反向电压即为偏离理想状态的临界电压。以Si为准求Ge反偏pn结的临界电压，设XD∝?U?1/2，并假定二者除本征载流子密度不同外，其余参数完全相同。 解：因为 反偏pn结势垒区产生的电流密度为 反偏pn结的扩散电流密度为 根据已知条件JG/JRD=1，带入上述公式得： 化简进一步可得: 因为XD∝?U?1/2，可以推出： 有题目已知，二者出本证载流子密度不同外，其余参数完全相同，所以 ，所以 对NA=5×1016cm-3，ND=5×1015cm-3的硅pn结，计算其室温零偏压下的xn，xp，XD和?Emax?。若其它条件保持不变，将材料换成GaAs，能获得的?Emax?是多少？ 解：室温零偏压下pn结的接触电势差为 正空间电荷区宽度 =4.11×10-6cm 负空间电荷区宽度 =4.11×10-5cm 因而势垒区宽度 最大电场强度 如果换成GaAs材料 室温零偏压下pn结的接触电势差为 正空间电荷区宽度 =5.34×10-5cm 负空间电荷区宽度