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第三章 半导体中的载流子的统计分布 1、 状态密度 2、 分布函数 3、 载流子浓度 4、 本征半导体 5、 杂质半导体 6、 简并半导体 基本概念 1 载流子的产生、产生率 a）本征半导体（无杂质缺陷） n0=p0 b）杂质半导体 产生率：单位时间单位体积 中产生的载流子数。 （反映产生过程的强烈程度） 2 载流子的复合、复合率 3 热平衡态：产生率=复合率 4 热平衡载流子： 处于热平衡状态下的电子与空穴。 　　　　温度　　　　建立新的平衡 实质：半导体中热平衡载流子浓度的计算。 热平衡载流子浓度计算思路 １　求出能带中单位能量间隔里允许容纳的量子态数 　　　　－－状态密度　　ｇ（Ｅ） 　　区别概念： 　ａ）ｋ空间的状态密度－均匀的 　ｂ）能带内的状态密度ｇ（Ｅ） 　　　－Ｅ的函数、随Ｅ变化 允许的量子态上电子占有的几率－统计分布规律ｆ（Ｅ） 对整个能带求积分－得到整个能带中的电子数 得到的电子数除以晶体体积－能带中电子浓度 　导带中电子浓度 3.1　　　状态密度ｇ（Ｅ） 1. 极值点 k0=0，E(k)为球形等能面 导带底附近单位能量间隔内的量子态数目,随着电子的能量增加按抛物线关系增大. 2、Si、Ge（旋转椭球） 3、Si和Ge的价带状态密度 3.2 分布函数 1、费米-狄拉克分布 2、费米能级EF （1）非真实存在的能级，反映电子在能级上分布的一个参 数 （2）影响因素：导带中电子总数、材料本身性质、杂质的种类浓度、温度 （3）计算方法：a）电中性条件 b）粒子数守恒法 （4）热平衡条件下半导体系统的化学势 3、费米-狄拉克分布函数与温度的关系 （1）T=0时 ∴a)在绝对零度，EF可以看成是量子态是否被电子占据的一个界限； b)EF在禁带 T0K时 电子占据费米能级的几率50% 例子： 在EF上下几个kT的范围内,费米分布函数(电子占有几率)有很大的变化 费米能级标志了电子填充能级的水平。费米能级高-较多高能量能级上有电子填充。  4 玻尔兹曼分布函数 （1）电子的分布函数 当E－EF＞＞k0T时， （2）空穴的分布函数 E↑，空穴占有几率增加；EF↑，空穴占有几率下降，即电子填充水平增高。 费米能级常位于禁带中，与导带低和价带顶的距离一般远大于k0T。 导带中所有的量子态被占据的几率f(E)远小于1，可以采用波尔兹曼常数描写。 价带中的量子态被空穴占有的几率1- f(E)远小于1，空穴的分布也服从波尔兹曼常数。 满足： 否则称为简并半导体。 简并半导体用费米分布函数计算 5 非简并半导体的载流子浓度 （1）导带的电子浓度n0 a)能量E-E+dE之间的电子数dN b）能量E-E+dE间单位体积中的电子数 c）对Ec-Ec’积分得到导带中电子浓度n0 利用积分公式： (2)价带中空穴的浓度p0 n0和p0与以下几个因素有关 （1） mdn和mdp的影响—材料的影响 （2）温度T— a)NC、NV ～T b) f(EC) ～T （3）费米能级EF EF→EC，EC-EF↓，n0↑ — EF越高，电子的填充水平越高，对应ND较高； EF→EV，EF-EV↓，p0↑ — EF越低，电子的填充水平越低，对应NA较高。 6、载流子浓度乘积（n0p0） 影响因素:1)费米能级EF？ 无关 2）所含杂质？ 无关 3）温度 有关 4）禁带宽度 有关 例子：n型Si 温度改变—n0p0变—若n0 则p0 一个的增加是以另一个的牺牲为代价的 应用 3.3 载流子浓度的计算 导带电子浓度和价带空穴浓度 导带底附近电子能态密度为gC(E), 导带电子分布函数f(E) 价带顶附近空穴能态密度为gV(E), 价带空穴分布函数1-f(E) 单位体积,单位能量间隔内的 导带电子 dN/dE= (1/V) gC(E) f(E)= (1/V) gC(E) fB(E) 价带空穴 dP/dE= (1/V) gV(E