电工与电子技术(电子部分.doc

PAGE PAGE 125 一、课题： 6.1半导体的导电特性 6.2 PN结及其单向导电性 二、教学目的 1、掌握半导体及其导电特性、 PN结原理 2、熟知半导体二极管及其导电特性、半导体二极管的参数 3、了解稳压管、发光二极管、光电二极管的工作特性 三、教学重点 1、半导体的分类、ＰＮ结的导电特性 2、二极管的伏安特性曲线 四、教学难点 1、半导体的分类、ＰＮ结的导电特性 2、二极管的伏安特性曲线 五、教学方法： 理论教学，讲授 六、教具 七、时间分配 课题引入 10分钟 讲授 85分钟 作业布置 5分钟 八、作业布置 看书 P93～P97 P119 1、2、3、4、5、 九、审批 十、教学内容 1、组织教学 2、提问复习 6.1半导体的基本知识 一、半导体及其导电性 1、半导体 半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质，如四价元素硅、锗、硒和大多数金属氧化物、硫化物等。在外界温度升高、光照或掺入适量杂质时，它们的导电能力大大增强，因此被用来制成热敏器件、光敏器件和半导体二极管、三极管等电子元件。 2、本征半导体 纯净的四价元素硅和锗等以共价键形式构成结晶结构，称为晶体。本征半导体就是完全纯净的具有晶体结构的半导体。 本征半导体在环境温度升高或受到光照时产生本征激发，形成自由电子和空穴。电子带负电，空穴带正电，在外电场作用下自由电子移动，相邻的价电子填补空穴而形成空穴移动，它们都能导电，称为载流子。本征激发产生的自由电子和空穴成对出现，数量取决于环境温度高低，所以本征半导体器件的性能受温度影响。 3、杂质半导体—P型半导体和N型半导体 （1）P型半导体：在纯净半导体中掺入适量三价元素，形成空穴型（P型）半导体。它的导电能力大大高于本征半导体。其中空穴为多数载流子（简称“多子”），自由电子为少数载流子（简称“少子”）。 （2）N型半导体：在纯净半导体中掺入适量五价元素，形成自由电子型（N型）半导体。其中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。 在两种杂质半导体中，多子是主要导电媒介，数量取决于杂质含量；少子是本征激发产生的，数量取决于环境温度。虽然含有数量不同的两种载流子，但整体上电量平衡，对外不显电性（不带静电）。 6.2 PN结及其单向导电性 一、PN结及其单向导电性 1、PN结 用一定的工艺方法将两种杂质半导体结合在一起，由于界面两侧载流子浓度不同而产生载流子扩散运动。P型区空穴向N型区扩散，N型区自由电子向P型区扩散。在边界两侧两种载流子产生复合，形成带正电和负电的离子。它们不能移动，而在边界两侧形成空间电荷区，称为PN结。 空间电荷区的特性： （1）区内正、负离子带电而不能移动，载流子因复合而数量很少，因此电阻率很高，故称耗尽层； （2）正、负电子形成的内电场阻止多子继续扩散，故又称阻挡层； （3）内电场对少子有吸引作用，形成少子的逆向运动，称为漂移； （4）在没有外电场作用时，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，两侧没有电流，空间电荷区厚度一定。 2、单向导电性 （1）正向：将P型区接电源正极，N型区接电源负极，则外电场削弱了内电场，空间电荷区变窄，阻拦层变薄。扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散大于漂移，形成正向电流Ia。结电压很低，显示正向电阻很小，称为正向导通。 （2）反向：将P型区接电源负极，N型区接电源正极，则外电场加强了内电场，空间电荷变宽，阻挡层变厚。扩散运动减弱，漂移运动增强，漂移大于扩散，形成反向电流IR。由于漂移运动是由少子形成，数量很少，所以IR很小，几乎可以忽略不计，但IR受温度影响较大。结电压近似等于电源电压，显示反向阻很大，称为反向截止。PN结正向导通，反向截止，即为单向导电性。 无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。 十一、小结 1、半导体及其导电特性、 PN结原理 十二、后记 一、课题： 6.3 二极管的基本结构 6.4 稳压二极管 二、教学目的 1、熟知半导体二极管及其导电特性、半导体二极管的参数 2、了解稳压管二极管的工作特性 三、教学重点 1、二极管的伏安特性曲线 2、半导体二极管的参数 四、教学难点 1、二极管的伏安特性曲线 2、半导体二极管的参数 五、教学方法： 理论教学，讲授 六、教具 七、时间分配 课题引入 10分钟 讲授 85分钟 作业布置 5分钟 八、作业布置 看书 P97～P101 P117 1、2、3、4、5、 九、审批 十、教学内容 1、组织教学 2、提问复习 6.3半导体二极管 一、半导体二极管基本结构、符号、伏安特性及参数 （1）结构：将