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一、二维自由电子气模型 没有外磁场时,对自由电子气有 k取值在一个平面内(设为kx-ky面), 当加有恒定外磁场时,能量本征值为一系列朗道能级 朗道能级是高度简并的,每一朗道能级包含量子态的数 目等于原来连续谱中能量间隔 内的态的数目。 朗道能级的简并度 加磁场前 加磁场后 1.二维电子气的能态密度 能量小于等于E的电子所占的相体积 单位能量间隔的相体积为 每相格体积为 能态密度为 间隔内的量子态数为 计入自旋,则量子态数为 即一个朗道能级所包含的量子态数目 朗道能级的简并度与B有关,由于总的量子态的数目是一定的, 因此,随着B的变化,电子填充的能级将发生变化,系统的能 量将随B发生变化。这就是德. 哈斯-范. 阿尔芬效应产生的物 理机制。 λ λ+1 λ+1 λ+1 λ+1 λ λ λ 甲 乙 丙 丁 B逐渐减小 2.变化的周期 设磁感应强度为B1时,第λ能级恰好完全填满 磁感应强度为B2时,第λ+1能级恰好完全填满 上述两种情况都对应系统能量的极小值,周期为 第四章 晶体结构中的缺陷 理想完整的晶体中,原子处在有规则的、周期性排列的格点上,但在实际的晶体中,原子的排列不可能那么完整和规则,经常存在着偏离了理想晶体结构的区域,这些与完整晶体中周期性点阵结构发生偏离的区域就构成了缺陷。缺陷的存在破坏了晶体本身的对称性和周期性。 根据缺陷的几何形状和所涉及的范围可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。 晶体中的缺陷虽然一般数量不是太大,但它对晶体的许多性质会产生重要影响。如半导体的导电性,金属的力学性质等。 3.1 点缺陷 点缺陷是晶体在一个或几个晶格常数范围内偏离理想周期性结构的一种缺陷。 特点:在三维方向的尺寸都与原子尺寸相近。 包括空位、间隙原子、杂质原子等。 一、点缺陷的形成及种类 晶格点阵中的原子总是在不停地在做热振动,振动的平均能量为Ei,但在一定的温度下,总有一些原子存在一定的概率获得较大的能量而克服平衡位置势阱的束缚,脱离原来的格点而迁移到其他位置上,而在原来的位置上出现空格点,称为空位,空位的出现破坏了原来各原子的力学平衡,使周围的原子都要略微偏离原来的平衡位置,达到新的平衡状态,这样就在空位周围产生了三个方向都很小的点阵畸变,形成点缺陷。 1、肖特基缺陷--只形成空位 晶体中的原子由于热振动的涨落而脱离其平衡位置,如果该原子脱离格点后并不在晶体内部形成间隙原子而是迁移到晶体表面上正常格点的位置或者迁移到晶粒间界或位错处。即只形成空位。就属于肖特基缺陷。 具体的形成过程可能是 (1) 靠近表面或界面的原子迁移到晶体表面或界面,形成空位,内部的原子再迁移到该空位上,最后在晶体内部形成空位;(2) 晶体内的原子通过多次跳跃到达晶体表面上格点的位置,而在晶体内部形成空位。 需要注意的是也存在上述过程的逆过程,即表面的原子和内部的空位发生复合而使空位数目减小。 一定的温度下,空位应达到平衡浓度。 2、弗兰克尔缺陷--产生一个空位和一个间隙原子 晶体中的原子由于热涨落,获得能量,脱离平衡位置,如果原子迁移到晶格点阵的间隙之中,同时产生一个空位和一个间隙原子。 这种缺陷是由弗兰克尔首先发现的,因此称为弗兰克尔缺陷。 在一定的温度下,晶体中弗兰克尔缺陷也保持一平衡浓度,它的复合和产生也保持动态平衡。 3、间隙原子 由于热振动能量的涨落,使晶体表面的原子获得足够的动能进入晶体内部格点之间的间隙位置,这些位置在理想情况下是不被原子所占据的,从而在这些被占据的间隙位置形成缺陷,称为间隙原子。 肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷和间隙原子这三种缺陷都是靠 原子热振动能量的涨落产生和运动的,所以称为热缺陷。 4、杂质原子 实际晶体不可避免含有或多或少的杂质,为了改善晶体的电学光学性能,经常有控制地向晶体掺入少量杂质原子,如向Si中掺入Al,Ga,或As,P等。 向晶体掺入杂质的方法有很多,如在晶体生长过程中掺入杂质,也可以利用扩散或离子注入的方法掺入杂质。 组成晶体的主体原子称为基质原子,掺入晶体中的异类原子或同位素原子称为杂质原子。 杂质原子在晶体中占据位置的方式有两种:一种是杂质原子取代基质原子而占据规则的格点位置,称为替位式杂质;一种是杂质原子占据格点之间的间隙位置,称为间隙式杂质。 原子半径较小的原子常常以间隙式杂质的方式出现在晶体中,如C,N,O等原子。 二、点缺陷的运动 (a) (b) (C) 晶体中的点缺陷并不是静止不
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