半导体材料电学性能.pptVIP

PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – PN 结变宽 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 IR P接负、N接正 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 2.4 超导性 * 什么是超导体？ 1. 零电阻 将超导体冷却到某一临界温度（TC）以下时电阻突然降为零的现象称为超导体的零电阻现象。不同超导体的临界温度各不相同。1911年昂纳斯首先发现，汞在低于临界温度4.15K时电阻变为零。 2. 完全抗磁性 当超导体冷却到临界温度以下而转变为超导态后，只要周围的外加磁场没有强到破坏超导性的程度，超导体就会把穿透到体内的磁力线完全排斥出体外，在超导体内永远保持磁感应强度为零。超导体的这种特殊性质被称为“迈斯纳效应”。 迈斯纳效应与零电阻现象是超导体的两个基本特性，它们既互相独立，又密切联系。 超导体的完全抗磁性机理： 这是由于外磁场在试样表面感应产生一个感应电流，此电流由于所经路径电阻为零，故它所产生的附加磁场总是与外磁场大小相等，方向相反，因而使超导体内的合成磁场为零。 因此感应电流能将外磁场从超导体内挤出，故称抗磁感应电流或屏蔽电流。 目前已查明在常压下具有超导电性的元素金属有32种（如右图元素周期表中青色方框所示），而在高压下或制成薄膜状时具有超导电性的元素金属有14种（如图元素周期表中绿色方框所示）。 - * - 两类超导体 大多数纯金属(除V、Nb、Ta外)超导体，在超导态下磁通从超导体中被全部逐出，显示完全的抗磁性。 第一类超导体 在铌、钒及其合金中，允许部分磁通透入，仍保留超导电性。Hc2值可以是超导转变热力学计算值Hc的100倍或更高。零电阻的超导电流可以在环绕磁通线圈的超导区中流动，在相当高的磁场下仍有超导电性，故第二类超导体在建造强磁场电磁铁方面有重要的实际意义。 第二类超导体 - * - 超导体的性能指标 转变温度愈接近室温其实用价值愈高。目前超导材料转变温度最高的是金属氧化物，但也只有140K左右，金属间化合物最高的是40K左右。 临界转变温度Tc 当温度TTc时，将磁场作用于超导体，若磁场强度大于Hc时，磁力线将穿入超导体，即磁场破坏了超导态，使超导体回到了正常态，此时的磁场强度称为临界磁场强度Hc。 临界磁场强度Hc 除磁场影响超导转变温度外，通过的电流密度也会对超导态起影响作用。当电流超过临界电流密度时，超导体回到正常态，它们是相互依存和相互影响的。 临界电流密度 温度（TC）——超导体必须冷却至某一临界温度以下才能保持其超导性。 临界电流密度（JC）——通过超导体的电流密度必须小于某一临界电流密度才能保持超导体的超导性。 临界磁场（HC）——施加给超导体的磁场必须小于某一临界磁场才能保持超导体的超导性。 以上三个参数彼此关联，其相互关系如右图所示。 超导体的性能指标 - * - 超导现象的物理本质 超导的BCS理论由巴丁(Bardeen)、库柏(Cooper)和施瑞弗(Sehriffer)三人在1957年揭示。 1972年Nobel奖 超导现象产生的原因是由于在超导态时，电子之间存在着特殊的吸引力，而不是正常态时电子之间的静电斥力。这种吸引力使电子双双结成库柏电子对，它是超导态电子与晶格点阵间相互作用产生的结果。 - * - 这些成对的电子在材料中规则地运动时，如果碰到物理缺陷、化学缺陷或热缺陷，而这种缺陷所给予电子的能量变化又不足以使“电子对”破坏，则此“电子对”将不损耗能量，即在缺陷处电子不发生散射而无阻碍地通过。 当温度或外磁场强度增加时，电子对获得能量，当温度或外磁场强度增加到临界值时，电子对全部被拆开成正常态电子，于是材料即由超导态转变为正常态。温度越低，超导体就越稳定。这就是超导体中存在临界温度Tc的原因。 超导现象的物理本质 库柏对的运动： 每个