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第六章 金属—氧化物—半导体场 效应晶体管 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 理想MOS结构基于以下假设： （1）在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷。 （2）金属和半导体之间的功函数差为零，如绘于图6-2b中的情形。 〔由于假设（1）、（2），在无偏压时半导体能带是平直的。〕 （3） 层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，这使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。这些假设在以后将被取消而接近实际的MOS结构。 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 半导体表面空间电荷区 ： 每个极板上的感应电荷与电场之间满足如下关系 （6-1） 式中 =自由空间的电容率 =氧化物的相对介电常数 =半导体表面的电场 =半导体相对介电常数 =空间电荷区在半导体内部的边界亦即空间电荷区宽度。 外加电压 为跨越氧化层的电压 和表面势 所分摊： 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 根据所加栅极的极性和大小，可能出现三种不同表面情况：载流子积累、耗 尽和反型? 载流子积累：紧靠硅表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度时，称为 载流子积累现象。 单位面积下的空间电荷 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 图6-4 几种偏压情况的能带和电荷分布 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 载流子耗尽 单位面积下的总电荷为 式中 为耗尽层宽度。 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1.3反型和强反型条件 载流子反型：载流子类型发生变化的现象或者说半导体的导电类型发生变化的现象。 导出MOSFET反型和强反型条件 反型条件: 强反型条件: 式中 为出现强反型时的表面势。 6.2 理想MOS电容器 6.2 理想MOS电容器 系统单位面积的微分电容 微分电容C与外加偏压 的关系称为MOS系统的电容—电压特性。 若令 6.2 理想MOS电容器 则 =绝缘层单位面积上的电容， =半导体表面空间电荷区单位面积电容。 称为系统的归一化电容。 6.2 理想MOS电容器 将电容随偏压的变化分成几个区域，变化大致情况如图6-7所示。 解释出现反型层以后的电容C与测量频率有关的现象。 答：所谓电容与测量频率有关，就是与交变信号电压的频率有关。在出现反型层以后，特别是在接近强反型时，表面电荷由两部分所组成：一部分是反型层中的电子电荷 ，它是由少子的增加引起的。另一部分是耗尽层中的电离受主电荷 ，它是由于多子空穴的丧失引起的。 表面电容 为 考虑 是怎样积累起来的。例如，当MOS上的电压增加时，反型层中的电子数目要增多。P型衬底中的电子是少子，由衬底流到表面的电子非常少，因此，反型层中电子数目的增多，主要依靠耗尽层中电子—空穴对的产生。在反型层中实现电子的积累是需要一个过程的。这个过程的弛豫时间由非平衡载流子的寿命所决定，一般比较长。同样，当MOS上的电压减小时，反型层中的电子要减少。电子数目的减少主要依靠电子和空穴在耗尽层中的复合来实现。 如果测量电容的信号频率比较高，耗尽层中电子—空穴对的产生和复合过程跟不上信号的变化，那么，反型层中的电子电荷 也就来不及改变。于是， 这样在高频情况下， 随着直流偏压 的增加， 增大，电容C减小。当表面形成了强反型层时，强反型层中的电子电荷随直流偏压的增加而e指数地增加，对直流偏置电场起屏蔽作用。于是，耗尽层宽度不再改变，达到极大值