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EGING PV FOR THE WORLD 常州亿晶光电科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 亿晶光电 EGING PV 不同电阻率太阳能电池制作工艺探索及电性能研究 报告内容简介 引言 不同电阻率单晶硅片工艺探索实验及讨论 不同电阻率单晶电池片衰减研究 结论 引言 对于硅材料，所有的非硅元素都是杂质 。 电阻率的测试比较简单，用简单的四探针即可完成，因此，电阻率的大小通常被用做检验掺杂量多少的标准。 硼（B）杂质在硅中的分凝系数K0 1，由于杂质在熔化和凝固过程中会发生分凝效应，固相中的杂质浓度分布情况：头部低尾部高，杂质向尾部聚集，因此，单晶硅棒从头端到尾端，其电阻率有明显的变化规律，常规的掺硼P型硅棒越接近尾端其电阻率值越小。 在工业生产中，将电阻率不符合段切除重新回炉，因此，研究不同电阻率电池片的性能也是节约拉晶成本的一个方面。 据不完全统计，市场上无论P型、N型还是P/N型，均有较明细的电阻率分类。 P型? 0.2 0.2-0.5? 0.5-1.0 1.0-3.0 3.0-6.0 6.0 N型 0.5 0.5-1.0 1.0-3.0 3.0-6.0 6.0 P/N 0.2 0.2-0