半导体器件物理_Chapter2_半导体物理基础知识.pptVIP

强场下漂移速度趋于饱和 求得平均漂移速度 获得迁移率的表达式 其中?平均自由时间。 由 影响迁移率的因素 不同的半导体材 料的迁移率不同 不同类型的载流子迁移率不同 电子迁移率空穴迁移率 ?GaAs ?Ge ?Si ----平均自由时间，即相邻两次碰撞之间的平均时间。 其影响因素与散射模式相关 电离杂质散射 晶格散射 半导体中有电子和空穴两种载流子，电场作用下的电流密度 得到电导率与迁移率的关系式 一般情形，半导体电子和空穴的迁移率在同一数量级，因此，其电导率主要由多数载流子决定。 当半导体中存在载流子浓度梯度时，将发生载流子的扩散运动，满足扩散方程，并形成扩散电流。 在一维分布情形下，载流子的扩散密度为： 扩散流密度＝ 负号反映扩散流总是从高浓度向低浓度流动。 电子扩散电流： 空穴扩散电流： 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 在平衡条件下，利用电流方程，可导出 爱因斯坦关系 这是半导体中重要的基本关系式之一，反映了漂移和扩散运动的内在联系 当同时存在电场和载流子浓度梯度时，载流子边漂移边扩散。 如果在半导体一面稳定地注入非平衡载流子，它们将一边扩散一边复合，形成一个有高浓度到低浓度的分布N（x）： 非平衡载流子的扩散长度L：非平衡载流子在被复合前扩散的平均距离。 复杂体系半导体中载流子遵守的连续性方程 连续性方程： (非平衡载流子在未达到稳定状态前，载流子随时间的变化率必须等于其产生率加上积累率再减去复合率) （产生、复合、漂移、扩散）共同存在 对空穴 对电子 辐射跃迁和光吸收 在固体中，光子和电子之间的相互作用有三种基本过程：吸收、自发发射和受激发射。 两个能级之间的三种基本跃迁过程 (a) 吸收 (b) 自发发射 (c) 受激发射 六、半导体中的光电特性 电光效应和 光电效应 pn结注入式场致发光原理 半导体发光包括激发过程和复合过程。这两个过程衔接，是发光必不可少的两个环节。 在pn结上施加正偏压，产生注入效应，使结区及其左右两边各一个少子扩散长度范围内的少子浓度超过其热平衡少子浓度。超过部分就是由电能激发产生的处于不稳定高能态的非平衡载流子，它们必须通过第二过程：复合，达到恒定正向注入下新稳态。 电光效应 复合分为辐射复合和非辐射复合。辐射复合过程中，自由电子和空穴具有的能量将变成光而自然放出。非辐射复合过程中，释放的能量将转变为其它形式的能，如热能。因此，为提高发光效率应尽量避免非辐射复合。 辐射复合的几条途径是：带-带复合、浅施主-价带或导带-浅受主间复合、施-受主之间复合、通过深能级复合等。 发光器件 发光二极管：靠注入载流子自发复合而引起的自发辐射；非相干光。 半导体激光器则是在外界诱发的作用下促使注入载流子复合而引起的受激辐射；相干光，具有单色性好、方向性强、亮度高等特点。 光电效应 当光照射到半导体上时，光能量作用于物体而释放出电子的现象称为光电效应。光电效应分为内、外光电效应两大类。 1 外光电效应—光电发射效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。基于这类效应的器件有光电管、光电倍增管。能否产生光电效应由爱因斯坦光电效应方程判别： 从上式可知：当光子能量大于逸出功时，才产生光电效应；当光子能量恰好等于逸出功时的?0称为红限频率(对应于长波限)。小于红限频率的入射光，光强再大也不会产生光电效应。反之，入射频率高于红限频率，即使光线微弱也会有光电效应。 （每个光子具有的能量 = 电子动能+逸出功） 式中：m—电子质量； v—电子逸出速度 2 内光电效应 受光照物体电导率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。 (1) 光电导效应 ? 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态而引起材料电阻率的变化，此现象称为光电导效应。 光电导可分为：本征光电导和杂质光电导。 光电导材料的电导率 无光照时：σ0 = n0qμn+p0qμp (暗电导) 有光照时： σ= σ0+Δσpn 其中：Δσpn= Δnqμn+Δpqμp (光电导) 利用光电导效应可以制造出各种波长范围的光敏电阻，光敏二极管，光敏晶体管和CCD图象传感器。 （2）光生伏特效应? 半导体受光照射产生电势的现象称为光生伏特效应。 光照引起pn结两端产生电动势的现象称为pn结光生伏特效应。当光照射到结区时，产生电子与空穴对，其中电子被内建电场扫向n区、空穴被内建电场扫向p区，电子在n区积累而空穴在p区积累，使pn结两端出现由光照而产生的电动势。 思考题 什么是半导体？ 什么是半导体中的载流子？ 什么是本征半导体、n型、p型半导体？ 什么因素影响半导体的导电特性？ 载流子在半导体中是