- 0
- 0
- 约3.82千字
- 约 38页
- 2019-09-23 发布于湖北
- 举报
1. 存储矩阵:由存储单元构成,一个存储单元存储一位二进制数码“1”或“0”。与ROM不同的是RAM存储单元的必须由具有记忆功能的电路构成。 2. 地址译码器:与ROM相同。 3. 读/写控制电路:当R/W? =1时,执行读操作,R/W? =0时,执行写操作。 4. 片选控制:当CS? =0时,选中该片RAM工作, CS? =1时该片RAM不工作。 二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 反相器 ( ) ( ) 二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 7.4 RAM容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM字数够用而位数不够时 接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 例:用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM N= 目标存储器容量 已有存储器容量 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例:用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 接法:片内地址信号并联;多余地址端通过译码器接至各片的片选端;I/O同名端并联。 《数字电子技术基础》第五版 《数字电子技术基础》(第五版)教学课件 刘伯恕
原创力文档

文档评论(0)