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考点清单;电时定向移动的电荷是⑤ 自由电子????,液体导电时定向移动的电荷是正、负离子,气体导电时定向移动的电荷是自由电子、正离子和负离子。
3.三个电流表达式的比较;4.三种速率的理解;?????R=ρ?????。
4.电阻率:反映? 导体导电性能????的物理量,其特点是随着温度的改
变而变化。
5.温度、光照对电阻、电阻率的影响:通常情况下不考虑温度、光照对电阻的影响。但下面的情况要了解。
(1)金属的电阻率随温度升高而? 增大????。
(2)超导现象:当温度降低到绝对零度附近时,某些材料的电阻率突然?
减小到零????的现象。
(3)光敏电阻:光敏电阻的阻值随光照强度增加而? 减小????。
(4)热敏电阻:负温度系数热敏电阻(NTC)的阻值随温度的升高而减小;;正温度系数热敏电阻(PTC)的阻值随温度升高而增大。
6.电阻的决定式和定义式的比较;2.表达式:?????I=?????。
3.定律的适用范围:电路元件为纯电阻的部分电路。
4.I-U图线和U-I图线:(1)在R一定的情况下,I正比于U,所以I-U图线和U-I图线都是通过原点的直线,如图甲、乙所示。I-U图线(图甲)中,R1R2;U-I图线(图乙)中,R3R4,此时,导体的电阻等于U-I图线的斜率,R=?=?。
(2)在R变化的情况下,I与U不再成正比,U-I图线不再是直线,而是一条曲线,如小灯泡的U-I图线如图丙所示,此时电阻R=?≠?,即电阻等于图
线上的点与坐标原点连线的斜率而不是切线的斜率。;四、电功和电功率
1.电功:电流做功的实质是电场力对电荷做功。电场力对电荷做功,电荷的电势能?????减小????,电势能转化为其他形式的能。因此电功W=qU=
UIt,这是计算电功普遍适用的公式。
2.电功率:单位时间内?????电流做的功????叫电功率,P=?=UI,这是计算;五、串、并联电路的特点;考向突破
考向一 运用电流的定义式及微观表达式的论证计算;例1 电荷的定向移动形成电流,电流是物理量中的基本量之一。电流载体称为载流子,大自然有很多种承载电荷的载流子,例如金属导体内可自由移动的电子、电解液内的离子、等离子体内的正负离子、半导体中的空穴,这些载流子的定向移动,都可形成电流。
(1)电子绕氢原子核做圆周运动时,可等效为环形电流,已知静电力常量为k,电子的电荷量为e,质量为m,电子在半径为r的轨道上做圆周运动。试计算电子绕氢原子核在该轨道上做圆周运动形成的等效电流大小;
(2)如图,AD表示一段粗细均匀的导体,两端;加一定的电压,导体中的自由电荷沿导体定向移动的速率为v,设导体的横截面积为S,导体单位体积内的自由电荷数为n,每个自由电荷所带的电荷量为e。试证明导体中电流大小I=neSv;
(3)有一圆柱形的纯净半导体硅,其横截面积为2.5 cm2,通有电流2 mA时,其内自由电子定向移动的平均速率为7.5×10-5 m/s,空穴定向移动的平均速率为2.5×10-5 m/s。已知硅的密度为2.4×103 kg/m3,摩尔质量是28 g/mol。电子的电荷量e=-1.6×10-19C,空穴和电子总是成对出现,它们所带电荷量相等,但电性相反,阿伏加德罗常数为NA=6.02×1023 mol-1。若一个硅原子至多只释放一个自由电子,试估算此半导体材料平均多少个硅原子才有一个硅原子释放出自由电子?;解析 (1)电子绕氢原子核做圆周运动,所需的向心力由核对电子的库仑引力来提供,
根据?=m?r
又I=?=?
解得:I=? ?
(2)导体中电流大小I=?
t时间内所有电荷沿导体长度方向定向移动的距离为vt,则t时间内通过导体某一横截面的自由电荷数为nSvt
该时间内通过导体该横截面的电荷量:q=nSvte
则I=neSv;(3)设此半导体单位体积内有n个自由电子,同时也将有n个空穴;以S表示横截面积,v1和v2分别表示半导体中空穴和自由电子的定向移动速率,I1和I2分别表示半导体中空穴和自由电子形成的电流,
则有:I1=nev1S
I2=nev2S
总电流I=I1+I2
由此可得:n=?
单位体积内有n个硅原子放出一个自由电子;单位体积内硅原子的个数N=?NA
则:?=?;代入数据解得?≈1×10-5
则知平均1×105个硅原子才有一个硅原子释放出一个自由电子;考向二 电表的改装;例2 某同学学习了欧姆表原理后,想自己设计并改装一个欧姆表,他手上有如下器材:量程为0~100 μA、内阻为500 Ω的电流计,电动势为1.5 V的一节干电池,滑动变阻器、电阻箱和若干定值电阻。他设计的电路如图甲所示,实验时他将两表笔短接,电流计指针满偏时,他计算出电路中的总电阻为15 kΩ,然后他将一个10 Ω和20 Ω
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