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工业结晶技术;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;工业结晶过程 Industrial Crystallization ;第一章 工业结晶概论;Figure 1.1 Illustration of maximum supersaturation and
growth rate at which sound and pure crystals free from inclusions
can be obtained.;Figure 1.2 Typical cumulative
undersize weight distributions
obtained in continuous
crystallization.;CV%=(标准差 standard deviation/平均尺寸 mean size)×100% ;§1.3 溶解度和过饱和度 ;Gibbs-Thomson 方程;第二章 成核:机理及来源;§2.1 初级成核 ;Figure 2.2 Free energy diagram for homogeneous nucleation indicating the existence of a critical nucleus.;ka 表面形状因子:定义:表面积=ka L2;对式(2.3)求最大值,得:
;多相成核:;§2.2 二次成核 ; 二次晶核的来源 ;Figure 2.4 Type of product crystals obtained in impure stagnant solutions ;Figure 2.5 Type of product crystals obtained in agitated solutions ; 影响二次成核的因素 ;§2.3工业结晶器中的成核 ;Figure 2.6 Crystal sizes and mass depositions on 100 g of 0.1 mm seeds;第三章 晶体生长;Figure 3.1 Concentration and temperature profiles in crystallization
from solution for a system of exothermic heat of
crystallization and normal solubility.; 通过膜的传递 ; 表面结合过程 ;Figure 3.2 Growth and dissolution rates for potash alum crystals
at 32℃ ;
GSI =kr (ci-c*)r ·······---------(3.4) ;§3.2 总的晶体生长过程 ;§3.3 总的晶体生长动力学 ;G(111)=6.24×10-4v0.65Δcg ·······--------(3.11);Figure 3.4 Comparison between face growth rates of single crystals
(smooth curve) and overall growth rates obtained in a
fluidized bed crystallizer ;Figure 3.5 The effect of crystal size L on the overall growth
rate of potash
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