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半导体用湿式化学品的应用 半导体用湿式化学品的应用 前言 湿式化学品的种类及主要作用 半导体制程中使用的高纯度湿式化学品原理简介 前言 我国集成电路和平面显示器产业蓬勃发展 涉及晶圆代加工、记忆体、ASIC等不同半导体产品制造领域。 带动了传统化学、化工、机械、电子、建筑等产业的相继投入。 半导体所需化学品的全额占每单位晶圆的生产成本的3%~4%。 化学品的纯度及品质直接影响到最终产品的良品率和元件的品质。 半导体的基本制程： 扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺）、光刻、刻蚀、薄膜、离子注入、抛光6个主要的生产区域和相关步骤。 湿式化学品的种类及主要作用 工艺用化学品按物质的状态可以分为气态、固态、液态 化学品在半导体制造业中的主要用途 ☆用湿法化学溶液和超纯水清洗硅片表面 ☆用高能离子对硅片进行掺杂得到P型或N型硅材料 ☆淀积不同的金属导体层及导体层之间必要的介质层 ☆生成薄的SiO2层作为MOS器件主要栅极介质材料 ☆用等离子体增强刻蚀或湿法试剂，有选择的去除材料，并在薄膜上形成所需要的图形 湿式化学品的种类及主要作用 种类 酸——有机酸：羧酸 ——无机酸：硫酸、磷酸、硝酸、氢氟酸等 碱——有机碱：氢氧化四甲基铵 ——无机碱：氢氧化钠、氢氧化铵等 溶剂：DI water、异丙醇、三氯乙烯等 湿式化学品的种类及主要作用 用高纯度的化学品来清洗晶圆表面 去除微粒子 去除金属不纯物 去除有机污染物 消除晶圆表面的粗糙 抑制晶圆表面生成氧化层 洗净用高纯度湿式化学品 NH4OH/H2O2/H2O (SC-1): 利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面，使晶圆表面与微粒子间产生相互排斥；双氧水具有氧化晶圆表面的作用，然后氨水对SiO2进行微刻蚀，去除颗粒 氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物，去除金属不溶物 NH4OH:H2O2:H2O=0.05~1：1：5 洗净用高纯度湿式化学品 HCl/H2O2/H2O(SC2): 利用双氧水氧化污染的金属，而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。 HCl:H2O2:H2O=1:1:6，在70度下进行5~10分钟的清洗 洗净用高纯度湿式化学品 H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean): 利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢键，去除有机不纯物。 H2SO4:H2O2=2~4:1，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡 洗净用高纯度湿式化学品 HF/H2O(DHF)或HF NH4F/H2O(BHF): 清除硅晶圆表面自然生成的氧化层，通常使用稀释后的氢氟酸（0.49%~2%）或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液 HF:NH4F=1:200~400，在室温下进行15~30秒的反应 光刻用高纯度湿式化学品 光阻-树脂、感光剂、溶剂 光阻稀释液-PGMEA PGME，清除晶圆残余光阻 显影剂-TMAH TEAH 刻蚀用高纯度湿式化学品 二氧化硅层蚀刻—采用HF及NH4F的缓冲溶液。 多晶硅层蚀刻—采用HF、CH3COOH 、HNO3、三种成分的混合液 刻蚀用高纯度湿式化学品 氮化硅层蚀刻—采用85%H3PO4在160~170度高温下进行蚀刻 铝导线蚀刻—采用己硝酸、磷酸及醋酸等多种无机酸混合液 化学机械抛光用高纯度湿式化学品 研磨液（slurry) 界电层平坦化研磨液—溶有硅土（Silica,SiO2)的KOH或NH4OH溶液 金属层平坦化研磨液—溶有矾土（Al2O3)的Fe(NO3)3或H2O2溶液 化学机械抛光用高纯度湿式化学品 研磨后清洗液 使用稀释的氨水去除研磨后残留的粒子 使用氢氟酸去除微量的金属污染物 在铜制程中，一般不使用无机的酸碱，通常使用化学性质较为温和的有机酸或有机碱，在添加一定的活性剂和獒合剂 * * H2SO4.H2O2.NH4OH.HCL.HF.IPA Si Wafer Wafer cleaning Resist Stripping Etching mask Exposure UV Light CVD Precursor化学气相沉积（薄膜） De posi t ion CMP 化学机械 研磨 光刻（曝光/显影） 刻蚀 BOE-etch SIO-etch AL-etch, 离子注入 Photo-resist 扩散——形成SiO2层并掺杂 Develop Rinse 清洗 SC1、SC2标准溶液都属于RCA制程