数字电子技术第七章半导体存储器.pptVIP

7.4 存储器的容量扩展 位扩展可以用多片芯片并联的方式来实现。 ①各地址线、读/写线、片选信号对应并联， ②各芯片的I/O口作为整个RAM输入/输出数据端的一位。 一、 位扩展－－增加I/O端个数 【例】用1024×1 位的RAM扩展为1024×8 位RAM －－八片 A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O …… A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O I/O 1 I/O 2 …… I/O 7 …… …… A 0 A 1 …… A 9 R/W CS …… 二、字扩展（增加地址端个数） 【例】用1k×4 位的RAM扩展为4k×4 位RAM。 分析：N=4 1k＝210，每片有10条地址线； 4k＝212，需要12条地址线； 所以，需要增加2条高位地址线来控制4片分别工作，即需要一个2-4线译码器。 字扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选CS端来实现。 ①各片RAM对应的数据线、读/写线对应并联； ②低位地址线也并联接起来； ③要增加的高位地址线，通过译码器译码，将其输出分别接至各片的片选控制端。 1K×4 (1) A0~ A9 WE CS D0~ D3 1K×4 (2) A0~ A9 WE CS D0~ D3 1K×4 (3) A0~ A9 WE CS D0~ D3 1K×4 (4) A0~ A9 WE CS D0~ D3 D0~ D3 A0~ A9 WE A11 A10 CS Y0 Y1 Y2 Y3 【例】用1k×4 位的RAM扩展为4k×4 位RAM。 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元 0 0 1 1 1 0 0 1 (1) (2) (3) (4) 0 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 【例】用1k×4 位的RAM扩展为4k×8 位的RAM。 实际应用中，常将两种方法结合使用，以达到字、位均扩展的要求。因此，无论需要多大容量的存储系统，均可以利用容量有限的存储器芯片，通过位数和字数的扩展来构成。 ①先进行位扩展，将两片1024×4扩展成1024×8 ②再进行字扩展，将两个1024×8扩展成2048×8 7. 5 用ROM设计组合逻辑函数 一、基本原理 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数。 ROM的应用： 2、用来实现任意的组合逻辑电路。 （码变换电路、查表电路） 1、主要用于存储固定的专用程序和数据； （BIOS 芯片） 产生地址变量的所有最小项 获得的最小项之和表达式 例1：试用ROM设计一个八段字符显示译码器（带小数点）， 其真值表如下。 f1111 e1110 d1101 c1100 … … … 4.0100 3.0011 2.0010 1.0001 0.0000 abcdefgh DCBA 字形 输出 输入 解：电路要求4位输入，8位输出，故选用4位地址线，8位(或8位以上)数据线的ROM。 用掩模ROM实现 画出存储矩阵的连接图（有二极管表示0） A3 A2 A1 A0 W0W1 … W15 4-16线译码器 1 EN 1 EN EN … D0 (a) D7 (h) D C B A 例2：试用ROM产生如下的一组多输出逻辑函数。 解： 电路要求4位输入，4位输出，故选用4位地址线，4位(或4位以上)数据线的ROM。 为得真值表，先将逻辑式化为最小项之和的形式 真值表 0000 1011 0100 1010 0000 1001 0000 1000 1100 0111 1100 0110 0001 1111 0110 1110 0000 1101 0000 1100 0000 0101 0010 0100 1000 0011 1001 0010 0000 0001 0000 0000 Y1Y2Y3Y4 ABCD A B C D D3 (Y4) D0 (Y1) 用掩模ROM实现 画出存储矩阵的连接图（有二极管表示1） A3 A2 A1 A0 W0W1