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3.2.2 三极管的开关特性 3.3.1　二极管与门电路 * 第6讲 第3章 集成逻辑门电路 学习目标： 1.了解半导体二极管、三极管和CMOS管的开关特性及等效电路。 2.了解TTL与非门的工作原理和主要性能指标。 3.掌握集电极开路门（OC门）、三态输出门的逻辑功能、特点和用途。 4.熟悉TTL与非门、CMOS逻辑门使用注意事项。 3.1　概述 　集成逻辑门电路主要有TTL门电路和COMS门电路。TTL门由双极型晶体管组成，CMOS门电路由单极型MOS管组成。 　TTL门电路的工作速度高，但功耗也较大，集成度不高；CMOS门电路功耗小，集成度高，但工作速度较低。 　各种门电路的输入和输出，只有高电平和低电平两种不同的状态。高电平和低电平都有一定的范围。 高低电平示意图 标准高电平USH常取3.6V；低电平USL常取0.3V。 　　关于正逻辑和负逻辑的概念 　　正逻辑体系：用1表示高电平，用0表示低电平。 　　负逻辑体系：用1表示低电平，用0表示高电平。 1. 正负逻辑的规定 2. 正负逻辑的转换 　　对于同一个门电路，可以采用正逻辑，也可以采用负逻辑。　　 本书若无特殊说明，一律采用正逻辑体制。 同一个门电路，对正、负逻辑而言，其逻辑功能是不同的。 3.2 半导体二极管和三极管的开关特性 3.2.1 二极管的开关特性 数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。 　　导通状态：相当于开关闭合 　　截止状态：相当于开关断开。 　　逻辑变量←→两状态开关： 在逻辑代数中逻辑变量有两种取值：0和1； 　　电子开关有两种状态：闭合、断开。　　 　　半导体二极管、三极管和MOS管，则是构成这种电子开关的基本开关元件。 　 　(1) 静态特性： 断开时，开关两端的电压不管多大，等效电阻ROFF = 无穷，电流IOFF = 0。 　 闭合时，流过其中的电流不管多大，等效电阻RON = 0，电压UAK = 0。 理想开关的开关特性： 　　客观世界中，没有理想开关。 　　乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关，但动态特性很差，无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 　　半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时，其静态特性不如机械开关，但动态特性很好。 1. 静态特性及开关等效电路 正向导通时UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈几Ω ～几十Ω 相当于开关闭合 二极管的伏安特性曲线 反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开 二极管的伏安特性曲线 2. 动态特性： 　　二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。一般为纳秒数量级。 1. 静态特性及开关等效电路 　　在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。 三极管的三种工作状态 （a）电路 （b）输出特性曲线 开关等效电路 (1) 截止条件 条件：发射结反偏 特点：电流约为0 (2)饱和条件 条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅 三极管开关等效电路 饱和时 三极管的饱和条件： 2. 三极管的开关时间（动态特性） 三极管的开关时间 开启时间ton 上升时间tr 延迟时间td 关闭时间toff 下降时间tf 存储时间ts (1) 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 　　　　　　　ton = td +tr td ：延迟时间　　 tr ：上升时间 (2) 关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。 　　　　　　　toff = ts +tf ts ：存储时间（几个参数中最长的；饱和越深越长） tf ：下降时间 toff ton 。　 开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。 3.2.3 MOS管的开关特性 　　一般采用增强型MOS组成开关电路，并由栅源电压uGS控制MOS管的截止或导通。 截止状态 导通状态 NMOS管电路图 3.2.4　抗饱和三极管 它是在三极管基极和集电极之间并接一个肖特基二极管（简称SBD）构成的。肖特基二极管的正向压降小，约为0.4V，容易导通，可分流三极管的一部分基极电流，使三极管工作在浅饱和状态，从而大大缩短三极管的开关时间，提高工作速度。在集成电路中肖特基二极管和三极管制作在一起。 　　门电路的概念： 实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等。 　　分立元件门电路和集成门电路