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半导体物理复习课 第一章 半导体中的电子状态 晶体结构与共价键 能级与能带 共有化运动：由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动 只有外层电子共有化运动最显著 能级分裂 能带形成 半导体中电子状态和能带 半导体中的电子运动 半导体中E(k)与k的关系 有效质量的意义： 常见半导体能带结构 直接带隙：砷化镓 间接带隙：硅、锗 半导体中的杂质 第二章 半导体中载流子的统计分布 状态密度 状态密度：能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 费米能级与分布函数 费米分布函数：（描述热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布） 玻尔兹曼分布函数 导带电子浓度 载流子浓度乘积n0p0 与费米能级无关 只决定与温度T，与所含杂质无关 适用于热平衡状态下的任何半导体 温度一定， n0p0一定 杂质半导体中的载流子浓度 n型硅中电子浓度与温度关系 五个区 低温弱电离区 中间电离区 强电离区 过渡区 高温本征激发区 各区特点及变化趋势 掺有某种杂质的半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 在杂质半导体中，费米能级的位置不但反映了半导体导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。 第三章 载流子输运 漂移运动：电子在电场力作用下的运动 迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度 散射及散射机构 平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程 散射机构 （1）电离杂质散射 电阻率与温度的关系 强电场效应 现象：偏离欧姆定律 解释：从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明 半导体磁电效应 第四章 非平衡载流子 非平衡载流子 准费米能级 当半导体处于非平衡状态，不再具有统一的费米能级，引入准费米能级 复合理论 直接复合 电子在导带和价带之间的直接跃迁 间接复合 非平衡载流子通过复合中心的复合 陷阱效应(熟悉概念) 杂质能级积累非平衡载流子的作用 陷阱：具有显著效应的杂质能级 陷阱中心：相应的杂质和缺陷 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系式(意义，推导) 从理论上找到扩散系数和迁移率之间的定量关系 第五章 p-n结 p-n结接触电势差VD p-n结电流电压特性 p-n结隧道效应 原理及描述 第六章 半导体表面与MIS结构 表面电场效应——MIS结构（金属－绝缘层－半导体） 表面势：空间电荷层内的电场从表面到体内逐渐减弱直到为零，电势发生相应变化，电势变化迭加在电子的电位能上，使得空间电荷层内的能带发生弯曲，“表面势VS”就是为描述能带变曲的方向和程度而引入的。 C－V特性 第七章 金属和半导体接触 功函数 电子亲和能 两种金半接触 欧姆接触 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子发生显著的变化。 迁移率 电场作用下运动的难易程度 扩散系数 存在浓度梯度下载流子运动的难易程度 1、内建电场结果 2、费米能级相等标志了载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消 VD和p-n结两边的掺杂浓度、温度、材料的禁带宽度有关。 在一定温度下，●突变结两边的掺杂浓度越高，接触电势差VD越大； ●禁带宽度越大，ni越小，接触电势差VD越大； 正向偏压下p-n结的费米能级 反向偏压下p-n结的费米能级 重掺杂的p区和n区形成的p-n结称为隧道结 多子堆积 多子耗尽 少子反型 强反型条件（推导、理解） 强反型： Vs≥2VB T↑，NA↑衬底杂质浓度越高，Vs就越大，越不容易达到反型。 NA=pp0, (1) VG0，多子积累 绝对值较大时，，空穴聚集表面， C＝C0，AB段（半导体看成导通） 绝对值较小时，C0和Cs串联，C随 V增加而减小，BC段 (2)VG＝0 CFB－表面平带电容 (3) VG0 耗尽状态：VG增加，xd增大，Cs减小，CD段 Vs2VB时： EF段（低频）强反型，电子聚集表面， C＝C0 GH段（高频）：反型层中电子数量不能随高频信号而变，对电容无贡献， 还是由耗尽层的电荷变化决定（强反型达到xdm不随VG变化，电容保持最小值）；GH段 金属和n型半导体接触能带图（WmWs） （a）接触前；（b）间隙很大； （c）紧密接触；（d）忽略间隙 电势降落在空间电荷区和金属半导体表面之间 电子的流向 * 半导体物理 * 谢静菁 手机实验室Email:larkxie@126.com 金刚石型结构 闪锌矿型结构 纤锌矿型结构 氯化钠型结构 电子在原子核势场和 其他电子作用下分列 在不同能级 相邻原子壳 层形成交叠 原子相互接近 形成晶体 共有化运动 满带或价带 导带 晶体中的电子 VS 自由电子 严格周期性重复排列的原子间