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RF对VIA的影响 2004/11/25 By LITH RF工艺介绍 现在PVD这边有2种RF腔体，一种是PCⅠ ，一种是PCⅡ 。 RF腔体设备硬件 RF system : 包括一个400MHZ（上）和一个13.56MHZ（下）的射频。 BELLJAR: RF能量可以穿透它而产生PLASMA。易耗件，需定期清洗。 分子泵： 在ENDURA上仅装在RF chamber，可将腔体的真空抽到1E-7以下，在工艺过程中常开。 RF腔体设备硬件 RF match:匹配腔体的阻抗和同轴电缆之间的阻抗，大约在50ohms左右。 在RF腔体内用高压打出PLASMA，其中pedestal 是阴极，轰击出的plasma达到圆片上，形成圆片表面的刻蚀，去除氧化层。 RF230A工艺的标准菜单（PC1） PC1 腔体RF工艺能力分析 PC1 腔体RF工艺能力分析 RF230A工艺的标准菜单（PC2） 实验1 针对PCⅡ 腔体及工艺菜单，改变点火那步的气体流量，看对孔的电阻有何影响。 实验内容：分片产品和批号 SS171A（A47319.1) WM8725.01(A471P2.1) 其中每一批的8#-25#圆片在ENDURA3#按标准菜单作业，其余1#-7#圆片在ENDURA12#按PCⅡ更改后的菜单作业。 实验1结果 实验1结果 实验1结果 实验1结果 实验1结论 1 改变菜单第2步点火工艺气体的流量，确实会对孔的电阻产生影响，但是影响的程度会随着产品的不同，即孔的大小不同而改变。 2 但是这还不能排除设备之间的差异因素，因此在ENDURA3#机上进行分片，确定点火气体流量改变的影响。 实验2 在ENDURA3#机台分片作业，其中16# ，17# 将点火步气体流量改到80SCCM，22#片改到50SCCM。 产品是SS171A（A47P15） 实验2 实验2结论 在不同机台之间存在差异，这种差异会使工艺参数改变所产生的影响向不同的方向变化。 改变气体流量对较大的孔影响较小，对较小的孔影响较大。 * 未更改菜单 更改菜单后
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