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* * 只读存储器（ROM） 一 二 二、 一、 单元结构：在N型的基底上做出两个高浓度的P型区，栅极由多晶硅构成，悬浮在SiO2绝缘层中，故称浮置栅。出厂时，源和漏极间无电子电荷，管子不导通，此时存放信息‘1’。 FAMOS(Floating grid Avalanche injection MOS) 浮置栅雪崩注入型MOS EPROM的编程过程就是对某些存储单元写‘0’的过程：在管子的漏极加25V电压，使PN结雪崩击穿，一部分热电子获得能量后穿过绝缘层进入浮置栅。源、漏导通，存储信息‘0’。 檫除时，一般采用波长2537埃的15瓦紫外线灯管，对准芯片窗口，近距离连续照射15～20分钟----将信息全部檫除。 编程后的芯片窗口上应贴上不透光的封条。 存储器容量的扩充 存储器的容量： 存储容量=存储单元个数×每个存储单元的位数=2M×N 其中，M为存储芯片的地址线根数，N为数据线根数。 用存储器构成存储系统的方法： 位扩展法 字扩展法 字、位扩展法 字的个数 16M×32位存储器 AB根数？ DB根数？ 例如： 字扩展法也称为地址串联法：[例如，将8个容量为2MX8位的存储芯片构成一个容量为16MX8位的存储器] 芯片分时工作：高位地址线译码信号控制CE端选片，使得只有一个芯片处于工作状态。低地址送到各个芯片中。数据线都相同。 译码器 常用的中规模集成电路译码器有：2-4译码器（CT54S139/74S139、CT54LS139/74LS139、CC4556）、3-8译码器（CT54S138/74S138、CT54LS138/74LS138、CC74HC138）、4-16译码器（CT54154/74154、CC74HC154）等。 *
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