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* 2.3 半导体激光器 第2章 典型激光器 * 半导体激光器 一、同质结半导体激光器的基本结构 1、一块P型半导体 。通过掺杂使空穴数目大大地多于电子数目的半导体。（GaAs-Zn） 2、一块N型半导体 。通过掺杂使电子数目大大地多于空穴数目的半导体。（GaAs-Te） 解理面 金属接触 电流 有源层 P型 N型 300μm 100μm 200μm 介质膜反射层 激光 3、P型半导体和N型半导体接触的附近的一个小区叫P-N结区。 4、解理面。相对地有两个，两个解理面平行，构成一个谐振腔。 5、磨砂面。 6、导线。电流从“＋”的一端流向“-”的一端。 工作过程：电流从“＋”极进入，从负极出。激光从解理面射出。 二、GaAs半导体激光器的能级（带）和P-N结 1. 半导体的能带。如下图所示。它是半导体中的电子的能级图。 禁带 价带 导带 Ef 电子能量 导带：电子能量大，处于自由状态。它的能量水平是在上一块阴影中，这里阴影实际上表示一系列横线，电子可以是横线中任一条的高度所代表的能量。 费米能级Ef：描述电子能量状态分布的假想能级，在费米能级被电子和空穴占据的几率相等。 Ef以下的能级，电子占据的可能性大于1/2，空穴占据的可能性小于1/2； Ef以上的能级，空穴占据的可能性大于1/2，电子占据的可能性小于1/2。 价带：电子能量较小，具有的能量不足以挣脱原子核的束缚。这种由价电子所形成的能带称为价带，这也是一系列密密麻麻的横线，每一横线是一个电子可能具有的能量。 禁带：在价带和导带之间，是由子所不能具有的能量值。 几种半导体的能带和电子分布： (a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 2. 费米统计 （1）在一个由N个电子构成的物质系统中，任何两个电子都不能具有相同的能量。即在一个能级上不可能有两个以上的电子。 （2）在上述物质系统中，电子在能级E的个数（或能级E上被一个电子占据的可能性）为： 上式说明能量值小于费米能级的能级每个上面基本上都有一个电子，而大于费米能级能量的能级，电子存在的可能性很小。 因为导带所有能级都高于费米能级，所以整个本征半导体（杂质、缺陷极少的纯净、完整的半导体。）导带上电子是很少的（很少有电子有导带能量）。价带所有能级都低于费米能级，所以电子基本上都处于价带中（价带也就很少有空穴）。 3. 高掺杂半导体。掺杂使费米能级升高或下降。 （1）在半导体GaAs中掺入Zn，将使这半导体中的费米能级下降，甚至降到价带里面去，由于电子在费米能级之下，所以在费米能级和导带之间缺少电子，出现空穴，这就是P型半导体。 （2）在GaAs中掺入碲（Te），将使GaAs费米能级上升到导带中去，在费米能级之上，则价带顶部将有大量电子填充在导带中，这就是N型半导体。 4. PN结 （1）结合。把一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起组成PN结。 （2）扩散。P型半导体中空穴多；N型半导体中自由电子多，一旦它们连在一起就要发生扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散，P型的空穴向N型扩散。 （3）自建场的建立。当两种材料接触时，过剩电子和空穴分别由N区和P区向对方扩散，在结区边缘形成空间电荷区。有静电荷的出现就要形成电场，电场是从正电荷指向负电荷，这样的电场叫自建场（即势垒）。当自建场的自由电场强度到达一定数值时，这个场将阻止电子从N区向P区的扩散，扩散运动将停止。空穴从P区向N区的扩散也将停止。在空间电荷区电子和空穴同时存在： 在PN结形成过程中，空间电荷区的两边的E f逐渐接近，直到扩散停止时两者相等，如图所示。此时空间电荷区形成电压V0，从N区指向P区，相当一个高势垒，从而阻止扩散继续进行，在没有外电场的情况下，上述过程很快结束，扩散停止。 电位减小 A1 B1 Ef1 Ef2 A2 B2 P N 在PN结区出现二条斜线：上边一条的意义是：在导带最低的能量处如果一个电子从P区走向N区，它所遇到的电位空间分布越来越低，＋→低→0→再低→－，但它的位能却越来越大；下边一条则表示在价带中最高能量的电子在空间的能量分布。这个斜坡就是一个电位的强势垒。 PN结能带 三、半导体激光器的工作过程 1. 当P-N结加正向电压时（P加正电压，N加负电压），势垒降低，引起电子和空穴扩散。 （1）外场是由P区指向N区，外场正电压将大部抵消结区P型半导体的负电位；外加负电压将大部抵消结区N型半导体的正电位。 加正向电压V时形成的双简并能带结构入图： （2）这样，结区两边的电位差大大降低了。即结区斜度下降，又导致在PN结区电子的位能远大于空穴位能。 （3）此外，电子又重新由P向N运动。 2. 电子、空穴在PN结区相遇，导带电子的能量大于价带能量，复合时，电子把多余的那部分能量释放出来形成光辐射。 3. 在