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第4章 像探测器 4.1 光电成像概论 4.2 真空摄像管 4.3 自扫描光电二极管阵列 4.4 CCD摄像器件 4.5 电荷注入器件CID 4.6 固体图像传感器的主要特性参数 习题与思考题 4.1 光电成像概论 图像是通过视觉感受到的一种信息， 是人类获取信息的一个重要方面。 图像探测器作为视觉信号获取的基本器件， 在现代社会生活中得到了越来越广泛的应用。 图 4.1 - 1 电视摄像管 图 4.1 - 2 图像各部分顺序传送过程 同电子束摄像管比较， 固体像探测器有以下显著优点： (1) 全固体化、 体积很小、 重量轻、 工作电压和功耗都很低； 耐冲击性好、 可靠性高、 寿命长。 (2) 基本不保留残像(电子束摄像管有15%~20%的残像)， 无像元烧伤、 扭曲， 不受电磁干扰。 (3) 红外敏感性。 (4) 像元的几何位置精度高(优于1 μm)， 因而可用于不接触精密尺寸测量系统。 (5) 视频信号与微机接口容易。 4.2 真 空 摄 像 管 图4.2 - 1是具有存储器的摄像装置的原理示意图。 与每一个光电管串接的电容器就起着存储器的作用。 图 4.2 - 1 摄像器件原理示意图 摄像器件一般应包括以下三个部分： (1) 光电变换元件: 把像素上的光通量转变成光电流。 (2) 光电流的存储元件： 将光电流以电荷的形式存储起来， 并转变成与像素光通量对应的电位。 (3) 扫描读取装置： 依次读出存储器上电位起伏变化的信息。 4.2.1 光电导式摄像管 光电导式摄像管利用光电导即内光电效应将光学图像转换成电势起伏。 当光学图像投射到光电导体靶面时， 因各个像素上照度不同而导致电导率差异， 从而在靶面上产生电势起伏， 再通过扫描电子束读出随电势起伏的视频信号。 1. 视像管的结构和工作原理 视像管的结构如图4.2 - 2所示， 它主要包括光电导靶和电子枪两大部分， 在管外还装有聚焦、 偏转和校正线圈。 电子枪由灯丝、 阴极、 控制栅极、 加速极(第一阳极)和聚焦极组成。 聚焦极的电压可调， 它与加速极形成的电子透镜起辅助聚焦作用。 图 4.2 - 2 视像管结构示意图 (a) 管子结构； (b) 靶结构 图 4.2 - 3 视像管工作原理图 为了满足信号电荷的存储功能和具有较小的惰性， 要求光电导靶满足以下特性： (1) 光电导层的电阻率ρ≥1012 Ω·cm； (2) 靶的静电电容在600~3000 pF的范围内； (3) 光电导材料的禁带宽度为17 eV≤Eg＜2 eV。 2. 硅靶视像管 硅靶是由大量微小的光电二极管的阵列构成的， 其结构如图4.2 - 4所示。 极薄的N型硅片的一面经抛光、 氧化而形成一层绝缘良好的二氧化硅(SiO2)膜。 图 4.2 - 4 硅靶结构与工作原理 (a) 结构示意图; (b) 原理图 4.2.2 光电发射式摄像管 1. 增强硅靶摄像管 增强硅靶摄像管简称“SIT”(Silicon Intensified Target)管， 它是在硅靶视像管的基础上发明的。 其结构原理如图4.2 - 5所示，它将硅靶作为二次电子增益靶(电荷存储元件)， 并增加了电子光学移像部分与光电阴极。 图 4.2 - 5 SIT管结构原理示意图 对硅而言， 产生每一电子—空穴对， 大约需要3.5 eV的能量。 若光电子的加速电压为Vp， 则电子增益(即靶的倍增系数)G可近似表示为 2. 二次电子电导摄像管 二次电子电导摄像管简称SEC(Secondary Electron Conduction)摄像管。 它也是增强型摄像管， 其结构与增强硅靶摄像管类似， 主要区别在于靶结构不同， 用SEC靶代替了硅靶。 SEC靶采用低密度的二次电子发射性能