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第15章 半导体存储器 图7.2.1 ROM的电路结构框图 图7.2.2 二极管ROM的电路结构图 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 可编程只读存储器（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 可擦除的可编程只读存储器 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 15.2 随机存储器RAM 结构与工作原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 青岛科技大学自动化与电子工程学院 数 字 电 子 技 术 第七章 半导体存储器 半导体存储器：一种能存储大量二值信息(或称为二值的数据)的半导体器件。 15.1 概述 在电子计算机以及其他一些数字系统的工作过程中，都需要对大量的数据进行存储。 因此，存储器是数字系统不可缺少的组成部分。 １．存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 　　２．存取时间 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 半导体存储器的主要技术指标 一、电路结构: 不像寄存器那样把每个存储单元的输入和输出直接引出。 在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码指定的那些存储单元才能与公共的输入／输出引脚接通，进行数据的读出或写入。 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 SIM卡 数码相机用的MS记忆卡 使用FLASH Memory 的电子盘（U盘） MP3播放器 PC机主板 内存条 内存插槽 1、存取功能分 ROM RAM Read-Only Memory Random Access Memory 只读存储器 随机存储器 掩模ROM 可编程PROM 可擦除的可编程EPROM 静态SRAM 动态DRAM 二、分类 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2.1 掩膜只读存储器 1 0 0 0 0 一个字有多位组成 地址线 0 0 1 1 位线 字线 存储器的容量：“字数 x 位数” 设计人员按照自己的设想迅速将所需内容自行写入PROM而得到要求的ROM。 在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件，即相当于在所有存储单元中都存人了1。 PROM的总体结构与掩模ROM一样，同样由存储矩阵、地址译码器和输出电路组成。 写入时，要使用编程器 一、EPROM ( UVEPROM ) 可擦除的可编程ROM(EPROM)中存储的数据可以擦除重写。 最早研究成功并投入使用的EPROM是用紫外线照射进行擦除的；并被称之为EPROM。因此，现在一提到EPROM就是指的这种用紫外线擦除的可编程ROM ，简称UVEPROM。 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 用紫外线照射芯片上的玻璃窗，则形成光电电流，把栅极电子带回到多晶硅衬底，SIMOS管恢复到初始的导通状态。 擦除时间约需10～15分钟 静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的； 动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。 但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器(Cache）则使用静态RAM。 另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0