第1章 半导体二极管和三极管(2新!).pptVIP

第2章 半导体二极管及基本电路 二、二极管电路分析 2.限幅电路 3.开关电路 例4：判别二极管是导通还是截止。 例5： 例6： 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 例7： 例12： * * 半导体的基本知识 PN结的形成及特性 半导体二极管 特殊二极管 ★二极管基本电路分析 2.3 半导体二极管 实物 2.3.1 半导体二极管的结构 2.3.2 二极管的伏安特性 2.3.3 二极管的参数 * 半导体二极管 * * * 2.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 * PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (3) 平面型二极管 (2) 面接触型二极管 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 * PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 2.3.2 二极管的伏安特性 3、PN结方程（近似） 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 Vth = 0.5V（硅）； Vth = 0.1V（锗） 注意： 1、死区电压（门坎电压） 2、反向饱和电流 硅：0.1?A；锗：10?A * 三部分 2.3 半导体二极管 二、结构、类型和符号 3. PN结方程（近似） 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 Vth = 0.5V（硅）Vth = 0.1V（锗） 1. 死区电压（门坎电压） 2. 反向饱和电流 硅：0.1?A；锗：10?A 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 2.3 半导体二极管 三、 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 4. 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 扩散电容示意图 (2) 扩散电容CD 5. PN结的结电容 三、 主要参数 2.4 二极管基本电路及其分析方法 一、二极管模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 当iD≥1mA时， uD=0.7V。 1. 理想模型 2. 恒压降模型 1. 静态分析 例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、电压VD 值。 解： 1. 理想模型 正向偏置时： 管压降为0，电阻也为0。 反向偏置时： 电流为0，电阻为∞。 2. 恒压降模型 当iD≥1mA时， uD=0.7V。 VR Vm ui t 0 ui VR时，二极管导通，uo=ui。 ui VR时，二极管截止， uo=VR。 例2：理想二极管电路中 ui= Vm sinωt V，求输出波形uo。 解： 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 uI1 uI2 二极管工作状态 D1 D2 u0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例3：求uI1和uI2不同值组合时的u0值。 （D为理想模型） 解： “与”逻辑关系 + 9V - + 1V - + 2.5V - + 12.5V - + 14V - + 1V - 截止 - 9V + - 1V + + 2.5V - + 12.5V - + 14V - + 1V - 截止 解： + 18V - + 2V - + 2.5V - + 12.5V - + 14V