第1章衬底制备工艺.pptVIP

集成电路制造工艺;上节课主要内容;第一章 单晶硅结构、制备方法; 1.1 硅晶体结构的特点;硅、锗、砷化镓电学特性比较;锗应用的最早，一些分立器件采用； GaAs是目前应用最多的化合物半导体，主要是中等集成度的高速IC，及超过GHz的模拟IC使用，以及光电器件 从电学特性看硅并无多少优势,硅在其它方面有许多优势 ;;硅作为电子材料的优点;硅晶胞：金刚石结构的立方晶胞;1.2 硅晶向、晶面和堆积模型;硅晶面;硅晶面;ABAB… 六角密积 （镁型）;六角密积;立方密积：第三层的另一种排列方式，是将球对准第一层的 2，4，6 位，不同于 AB 两层的位置，这是 C 层。;面心立方晶格;硅晶体为双层立方密积结构;解理面;1.2 硅晶体缺陷;点缺陷;杂质缺陷是非本征点缺陷，指晶体中外来原子。 杂质中，填隙杂质在微电子工艺中是应尽量避免的，这些杂质破坏了晶格的完整性，引起点阵的畸变，但对半导体晶体的电学性质影响不大；而替位杂质通常是在微电子工艺中有意掺入的杂质。例如，硅晶体中掺入ⅢA、ⅤA族替位杂质，目的是调节硅晶体的电导率；掺入贵金属Au等，目的是在硅晶体中添加载流子复合中心，缩短载流子寿命。;线缺陷;刃位错和螺位错;刃形位错的运动;面缺陷和体缺陷;缺陷的产生及结团;缺陷的去除;1.3 硅中杂质;Si中杂质类型;1.3.1杂质对Si电学特性的影响;硅晶体中杂质能级和电离能; 硅单晶电阻率与掺杂浓度关系曲线;1.3.2 杂质在硅晶体中的溶解度;固溶体;硅晶体中杂质的固溶度;本章小结 ;2.1 多晶硅的制备 2.2 单晶硅生长 　 2.3 硅片制造;对衬底材料的要求 ;2.1 多晶硅的制备; 2.1.1 冶炼;2.1.2 提纯;;2.2 单晶硅生长;晶体生长技术：利用物质（液态、固态、气态）的物理化学性质，控制相变过程，获得具有一定结构、尺寸、形状和性能的晶体的技术。 ;近年来，多种化合物半导体等电子材料、光电子材料、非线性光学材料、超导材料、铁电材料、金属单晶材料的发展，引出一系列理论问题。 ;晶体生长方法可根据其母相的类型归纳为4大类：;气相生长;溶液生长;熔体生长;固相生长;定量了解晶体生长过程： 1）研究晶体处于稳定态的热力学条件。 2）了解生长界面的热力学??? 3）了解晶体生长的动力学。;2.2.1直拉法----Czochralski法(CZ法);单晶炉;直拉法-Czochralski法(CZ法);CZ法工艺流程;引晶 是将籽晶与熔体很好的接触。 缩晶 在籽晶与生长的单晶棒之间缩颈，晶体最细部分直径只有2-3mm。 放肩 将晶体直径放大至需要的尺寸。 等径生长 拉杆与坩埚反向匀速转动拉制出等径单晶。拉升速度、转速，以及温度决定晶体直径大小，缩晶与放肩处的直径也是由拉升速度、转速，以及温度控制。 收尾 结束单晶生长。 ;将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击。当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触，籽晶向上拉，控制温度使熔体在籽晶上结晶； ;缩颈;放肩 缩颈工艺完成后，略降低温度（15-40℃） ，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。;等径生长：;收晶：;提拉速度，晶体的质量对提拉速度很敏感，典型的拉杆提拉速度一般在10μm/s左右。在靠近熔体处晶体的点缺陷浓度最高，快速冷却能阻止这些缺陷结团。点缺陷结团后多为位错环，这些环相对硅棒轴中心呈漩涡状分布，呈漩涡缺陷。 温度场的分布应适当，实际上坩埚内熔体温度呈一定分布。 籽晶的质量，晶格完好，表面无划痕、无氧化物。 缩颈，目的是终止籽晶位错和缺陷，可多次缩颈。 ;CZ法缺陷;CZ法熔料中环流形成; 2.2.2单晶生长原理;结晶的热力学条件;结晶的热力学条件 ;由结晶热力学，在单一的组元情况下，在一定的过冷度下，液体中若出现一固态的晶体，该区域的能量将发生变化，一方面一定体积的液体转变为固体，体积自由能会下降，另一方面增加了液－固相界面，增加了表面自由能，因此总的吉布斯自由能变化量为： σ为密度，γ为界面能（界面张力），A为表面积 ΔG0，是自发过程，Tm 为熔点， 定义：表述材料过冷的程度，将理论转变温度与实际所处在的温度之差称为过冷度，ΔT=T- Tm。过冷度越大自发过程越易发生----过冷是结晶的必要条件之一 ; 单晶的制备 ;结晶动力学;提拉速度问题;2.2.3晶体掺杂;液相掺杂 直接掺元素 母合金掺杂 气相掺杂 中子辐照（NTD）掺杂--中子嬗变掺杂技术;液相掺杂可直接在坩埚内加入杂质元素制造特定电阻率圆片。 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 杂质分凝作用的