第4章光电信息技术应用-3.ppt

一、反射式位移传感器 反射式位移传感器 ，其基本原理如图4.4.2-1所示 探测器 光源 被测面 传输光纤 接收光纤 §4.4.2 传输型光纤传感器 原理：光源发出的光通过光纤射向被测物体，其反射光由接收光纤收集，送到探测器，通过信号处理得到光纤端面与被测面之间距离的变化（位移）。 下面分析接收光强变化与位移之间的关系，参考图4.4.2-2。 图4.4.2-2光耦合示意图 被测面 传输光纤 接收光纤 传输光纤像 d a 2r 假设两根光纤均为阶跃折射率光纤，芯径为2r，数值孔径为NA，两光纤间隔为a，并定义 当距离 时，两光纤的光耦合为零，即没有 反射光进入接受光纤； 当 时，两光纤的耦合最强，接收光。 强达到最大值。此时输入光纤的像发出的光锥完全覆盖接收光纤端面. 在线性近似条件下，可得到交叠面积与光纤芯面积之比为 假设反射面无光吸收，两光纤的光功率耦合效率F即为交叠面积与光锥底面积之比 上述关系式提供了反射式传感器的设计依据。 图4.4.2-3给出了一个设计实例，主要参数为：2r=200μm，NA=0.5，a=100μm。 图4.4.2-3耦合效率与距离关系的理论曲线 200 400 600 0 5 10 F/% d/μm d=320μm F=7.2% 设入射光强为 出射光强为 ，在经过长度为的半导体材料后， 只有能量大于半导体材料的禁带宽度Eg的光子才能被吸收 本征吸收时电子从导带跃迁到价带的形式有两种，即间接跃迁与直接跃迁，这由半导体材料的能带结构所决定。GaAs半导体是典型的直接跃迁材料，当光子能量hv大于材料的禁带宽度Eg时，吸收系数可以写成： 二、半导体吸收温度传感器 另一方面，对于GaAs材料，其禁带宽度Eg与温度具有如下关系： 上式表明GaAs材料的禁带宽度Eg 随温度的升高而降低，产生本征吸收要求的最低光频Vg减小了，即是说温度升高时，吸收曲线向短波长方向移动，相应的，透射曲线向长波长方向移动，意味着有更多的光子被吸收，如图4.4.2-4所示。 透过率T 0 1.0 0.5 λg λ/nm 光源辐射谱 T(λ,t) t1t2 t1 t2 图4.4.2-4半导体材料的透过率特性 图4.4.2-5为透射式传感器的结构示意图。 图4.4.2-5 半导体吸收温度传感器示意图 光源 探测器 传输光纤 GaAs 如图4.4.2-6所示，当频率为f的激光经光纤照射到以速率v为运动的散射物体O上时，一部分散射光又进入到光纤中，其光频为 三、光纤多普勒速度传感器 反射光波fd 3dB 光电检测与 信号处理系统 激光光源 v θ 入射光波f O §4.5.1 激光打印机和复印机 §4.5.2 光盘存储 §4.5.3 摄像机和数码相机 §4.5.4 摄像测量 §4.5 光电信息技术其它应用 EDFA 主要由掺铒光纤(EDF)、泵浦光源、耦合器、光隔离器及光滤波器组成，结构如图4.3.2-4所示。 图4.3.2-4 掺铒光纤放大器结构 信 号 光 耦