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第5章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 第5章 双极型晶体管及相关器件 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 交流特性是当一小信号重叠在直流上的情况。小信号指交流电压和电流的峰值小于直流的电压、电流值。 5.3.1 频率响应 右上图是以共射组态晶体管所构成的放大器电路；在固定的直流输入电压VEB下，有直流基极电流IB，其与负载线共同确定了输出静态工作点，即对应的直流集电极电流IC和VEC。其中负载线表示式VCC＝ICRL+VEC。如右下图所示。 5.3 双极型晶体管的频率响应 一、高频等效电路 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 下图(a)是上述放大器的低频等效电路。 在更高频率下，必须在等效电路中加上适当的电容。在正偏射基结中，有一势垒电容CEB和一扩散电容Cd；在反偏集基结中只存在势垒电容CCB，如图 (b)所示。 其中 称为跨导。 而基区宽度调制效应，将产生一个有限的输出电导： 称为输入电导。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 另外，基极电阻和集电极电阻也都列入考虑。图(c)是加入上述各器件后的高频等效电路。 二、截止频率 上图，跨导gm和输入电导gEB与晶体管的共基电流增益有关。低频，共基电流增益是一固定值；频率升高至一关键点后，共基电流增益将会降低。 右图是一典型共基电流增益相对于工作频率的示意图。加入频率参量后，共基电流增益为 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 b 10 2 10 3 10 dB 3 a b b f dB 3 a f T f 频率 Hz / 其中，?0是低频共基电流增益，f?是共基截止频率，当工作频率f=f?时，?的值为0.707?0（下降3dB）。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 右图显示共射电流增益，由上式得 其中，fβ称为共射截止频率。 由于?0≈1，所以fβ远小于f?。 另外，一截止频率fT（特征频率）定义为|β|=1时的频率，将前式等号右边的值定为1，可得出 因此，fT很接近但稍小于f?。 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 10 1 . 0 1 0 a 0 β 10 2 10 3 10 dB 3 a β β f dB 3 a f T f 频率 Hz / 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 特征频率fT也可表示为(2πτT)-1，其中τT代表载流子从发射极传输到集电极所需的时间，它包含了发射区延迟时间τE、基区渡越时间τB及集电区渡越时间τC。 其中，最主要的时间是τB，以线性空穴分布为例，则 要改善频率响应，必须缩短少子穿越基区的时间，所以高频晶体管都设计成短基区宽度。 Si中电子扩散系数是空穴的3倍，高频硅晶体管都是n-p-n型。 掺杂浓度变化（基区靠近发射极端掺杂浓度高，靠近集电极端掺杂浓度低）产生的内建电场有助于载流子往集电极移动，因而缩短基区渡越时间。 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 异质结双极型晶体管（HBT）是指晶体管中的一个或两个结由不同的半导体材料所构成。 HBT的应用基本上与双极型晶体管相同，但其发射效率较高，具有较高的速度，可以工作在更高的频率。 应用：光电、微波和数字，如在微波方面，HBT常被用来制造固态微波及毫米波功率放大器、震荡器和混频器。 目前HBT主要是由GaAs和InP等材料制成。 5.4 异质结双极型晶体管 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 由于HBT发射区和基区是不同的半导体材料，必须考虑不同半导体材料的禁带宽度差对HBT电流增益造成的影响。 当基区输运系数αT→1时，共射电流增益可表示为 HBT的电流增益 对npn型晶体管，将 代入上式，可得 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 发射区和基区中的少数载流子浓度可写为 其中，NE和NB分别是发射区和基区的掺杂浓度，NC和NV分别是导带和价带底的有效状态密度，EgE是发射区半导体的禁带宽度，N′C、N′V和EgB则是基区半导体上相应的参数。 因此，由于HBT发射区和基区半导体材料的不同，它们的禁带宽度差将对HBT的电流增益造成影响，且 例4 第5章 双极型晶体管及相关器件 * 大部分HBT技术都是在AlxGa1-xAs/GaAs材料系统中发展，右图是一个基本n-p-n型HBT结构。n型发射区以宽禁带AlxGa1-xAs组成，而p型基区以禁带宽度较窄的GaAs组成，n型集电区和n型次集电区分别以低掺杂浓度和高掺杂浓度的GaAs组成。为形成欧姆接触，在发射区接触和AlGaAs层间加一层高掺杂n型GaAs。 因为发射区和基区材料间具有很大的禁带宽度差